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K9F4G08U0M价格行情

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K9F4G08U0M中文资料

  • 基于Flash的大容量高速数据记录仪设计

    存储器负责程序和数据的存储,其中nand flash 存储数据文件,nor flash 负责存储bootloader,操作系统内核和文件系统,sdram 存储系统运行时的程序和数据,arm 通过gpio 连接相关继电器、触发设备、输出电压控制设备、以及特定设备采样a/d 并进行驱动。 s3c2440 是三星公司的arm920t 的arm 控制器:支持32 b 的高速amba 总线接口;带有mmu,可以进行linux 操作系统的移植;支持大页nand 闪存控制器。nandflash 芯片选用k9f4g08u0m,这是samsung 生产的512 mb 的nand flash 存储器。内部存储结构为(2k+64)字节×32 页×4 096 块,nand flash 接口信号比较少,数据线宽度只有8bit,cle 和ale 两个引脚信号用来区分总线上的数据类型,没有地址总线。nor flash 采用16mx16 位的e28f128j3a,norflash 接口与系统总路线完全匹配,16 个数据输入输出引脚,可以连接在系统总线上。norflash 有三个芯片片选引脚信号,选用作为片选信号,与处理器引脚相连。

  • K9F4G08U0M

    K9F4G08U0M引脚图电源电压:VCC=2.7~3.6V;结构:存储器单元阵列:(512M+16384K)×8位,数据存储器:(2K+64)×8位;自动编程和擦除:页编程:(2K+64)字节,块擦除:(128K+4K)字节;页读操作:页大小:(2K+64)字节,随机读取:20μs(最大值),串行访问:25ns(最小值);快速写周期时间:页编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:1.5ms(典型值);指令/地址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定;可靠的CMOS准浮栅技术,1M次编程/擦除周期,10年的数据保留时间;指令存储器操作;封装:48引脚的TSOP封装,52引脚的ULGA封装

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