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  • K9F5608U0B

    K9F5608U0B引脚图电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(32M+1024K)×8位，数据存储器：(512+16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节；页读操作：页大小：(512+16)字节，随机存取：10μs(最大值)，串行访问：50ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据保留时间；指令存储器操作；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装，63引脚的TBGA封装

  • K9F5608U0B NAND FLASH 内存的读写程序

    k9f5608u0b nand flash 内存的读写程序各位高手: 现在我有一个关于k9f5608u0b 存储芯片的应用问题,该芯片的pdf文件我已经看过,但是按照上面讲的时序对芯片进行读写时,芯片没有反映,不知道是怎么回事,有谁用过请教小弟一下,多谢!

  • 做优盘的flash型号

    刚好手边有一个拆开的u盘！我的这个flash型号是k9f5608u0b

K9F5608U0B替代型号

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K9F5608U0B-YCB0 K9F5608U0C K9F5608U0C-PCB0 K9F5608U0D K9F5608U0M K9F5608U0M-YCB0 K9F5608UOB K9F5608UOB-YCBO K9F5608UOC K9F5608UOD

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