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当前位置：维库电子市场网>IC>K9F5608U0C 更新时间:2024-04-12 14:13:59

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K9F5608U0C价格行情

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历史最低报价：￥18.0000 历史最高报价：￥50.0000 历史平均报价：￥33.6000

K9F5608U0C中文资料

  • 基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用

    策略混合的方法，yaffs能够有效地改善贪心策略造成的不平均;通过不同的混合比例，则可以控制损耗平均和系统开销之间的平衡。考虑到nand的擦除很快(和nor相比可忽略不计)，yaffs将垃圾收集的检查放在写入新页面时进行，而不是采用jffs那样的后台线程方式，从而简化了设计。 yaffs实现开发环境简介 本文采用的是宿主机+目标板的开发模式。宿主机为pc+redhat9.0,目标板为三星公司的s3c2410+嵌入式linux，版本为2.6.11.12。nand闪存是三星公司64mb的k9f5608u0c。yaffs的源码可以从网站下载。 yaffs移植： 1)在内核中建立yaffs目录fs/yaffs，并把下载的yaffs代码复制到该目录下面。 2)修改fs/kconfig，使得可以配置yaffs。 3)修改fs/makefile，添加如下内容：obj-$(config_yaffs_fs) += yaffs/ 4)在生成的yaffs目录中生成makefile 和kconfig文件。 5)修改nand分区。此分区要结合vivi里的分区进行设置，如下：

  • K9F5608U0C

    K9F5608U0C引脚图电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V； 结构：存储器单元阵列：(32M＋1024K)×8位,数据存储器：(512＋16)×8位；自动编程和擦除：页编程：(512＋16)字节,块擦除：(16K＋512)字节； 页读操作：页大小：(512＋16)字节,随机存取：10μs(最大值),串行访问：60ns(最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μS(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间； 指令存储器操作； 上电自读操作； 安全锁机制； 封装：48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的TBGA封装

  • 请教高手:下面这份料单是做什么模块的?

    a工业标准的以太网测控控制器带有处理器接口及静态存储器s3c2410x bga2727x17-0.8 samsung 32bit精简指令微处理器 它应该是这份料单的核心hy57v561620 tsopii-54 (32mbyte的sdram) hynix 4banks x 4m x 16bit synchronous dram 同步动态随机存取存储器,k9f5608u0c tss012x20-g48 (32mbyte nand flash) samsung 512mb/256mb 1.8v nand flash errata  与非闪存sn75240pwr tsso3x6-g8/x.3 ti 单双通用中行总线端口瞬时电压抑制器,用来对usb口提供额外电噪声瞬时保护.

  • 求助：5V的单片机，怎么接3.3V的flash呀？

    我单片机用的是5v的w78e516，flash用的是samsung的3.3v的k9f5608u0c。哪位朋友做过类似的设计？总线直接连上会有什么问题吗？

  • 求助 闪存读写时序问题 做过闪存或英文好的都请进

    求助 闪存读写时序问题 做过闪存或英文好的都请进我再编写k9f5608u0c 闪存芯片的时候 碰见这些问题请各位指点指点问题一：检查无效block 时 需要检查页面的517字节是否为ffh文中写到“check 'ffh' at the column address 517 (x8 device)or 256 and 261 (x16 device) of the 1st and 2nd pagein the block”如果结果是"no" 就表示这一block是坏的我用的是8位的在这是要检查第1页和第2页的第517字节是否为ffh上面的含义是2个同时不为ffh 表示坏块 还是只要有1个不为ffh 表示坏块问题二：三星的这类闪存是不是需要先擦除才能够写入 ， 还是直接就可以用问题三：闪存每页附加的16个字节 可以自己随便用么（刚才的517字节正好在这个区域）问题四：按块擦除时， 会不会影响每页的517字节初次做闪存的东西，让各位见笑了，笑归笑， 有空指导我一下 感激不尽

  • 求助  关于K9F5608U0C闪存的读写程序

    求助 关于k9f5608u0c闪存的读写程序我刚接触闪存， 在测试过程中发现 芯片的r/b 一直是低电平也就是说 一直处于 busy状态读出的数据一直是00h使用复位命令也没有效果不知道是什么原因硬件部分好像是没问题可能是我编的软件有没有问题各位有做过闪存编程的，方便的话，给我参考下你们的程序感激不尽邮箱： guanglv2005@163.comcpu用的st的upsd3234 设置比较复杂我察看了upsd对各个端口的写状态都对就是r/b一直是忙状态 郁闷我写的复位程序如下：void k9f_reset (){ int temp; // start pa4=cle=0 pa3=ce=1 pa6=we=1 pa5=ale=0 pa2=re=1 // pa= 1100 1111 bin = cfh psd8xx_reg.dataout_a = 0xcf; for ( temp=0 ; temp<200 ; temp++ ) {}

K9F5608U0C替代型号

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K9F5608U0C-PCB0 K9F5608U0D K9F5608U0M K9F5608U0M-YCB0 K9F5608UOB K9F5608UOB-YCBO K9F5608UOC K9F5608UOD K9F5608UOM K9F5616Q0B-DIB0

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