电源电压:Vcc=2.7~3.6V; 结构:存储器单元阵列:(16M+512K)×16位,数据存储器:(256+8)×16位; 自动编程和擦除:页编程:(256+8)字,块擦除:(8K+256)字; 页读操作:页大小:(256+8)字,随机存取:10μs(最大值),串行访问:50ns(最小值); 快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值); 指令/地址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定; 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间; 指令存储器操作; 封装:48引脚的TSOP封装,63引脚的TBGA封装