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Samsung电子公司推出业界首个60nm 8Gb NAND闪存储器
samsung电子公司推出业界首个60nm 8gb nand闪存储器k9w8g08u1m,用作存储媒体如用在移动设备的低容量移动硬盘. nand闪存技术,平均每12个月增加容量一倍.在1999年为256mb,2000年则增加到512mb,2001年为1gb,2002年为2gb,2003年为4gb,现在2004年则为8gb. 开发这样高容量和精细的电路设计的关键技术是3d单元晶体管结构和高介质栅绝缘技术.此外,通过广泛使用的krf光刻印刷术,每位的成本降低了50%. samsung在60nm技术中通过采用多级单元(mlc)技术,进一步增强了这种技术.新的8gb mlc nand闪存扩充了samsung闪存系列产品,满足对有效率和高性价比的非易失性存储设备日益增长的市场需求.mlc技术还给设计者提拔供了低功耗小形状系数存储解决方案的有竞争力的选择,使低容量移动内硬盘能用在紧凑的移动设计中. k9w8g08u1m是采用两个4gb的k9k4g08u0m堆栈起来的,48引脚tsop封装(12x12mm,间距0.5mm),有(512m+16384k)x8位或(256m+8192k)x16位两种配置,工作电

K9W8G08U1M
电源电压：Vcc＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(512M＋16384K)×8位,数据存储器：(2K＋64)×8位,缓存存储器：(2K＋M)×8位；自动编程和擦除：页编程：(2K＋64)字节,块擦除：(128K＋4K)字节；页读操作：页大小：2KB,随机存取：25μs(最大值),串行访问：30ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：300μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间；指令存储器操作；上电自读操作；封装：48引脚的TSOP封装

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