带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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TSOP/1136+
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1500
BGA/21+
亏本出仓库现货 原装原盒原包
6800
TSSOP86/2208+
主营内存.闪存全系列 ，欢迎咨询
145
TSOP86/16+
捡漏可深圳交货
629
TSOP86/14+
只做原装欢迎监督
931
TSOP86/07+
全新原装现货
3500
TSOP86/20+
一律进口原装，假一罚十，实单请详询
MT48LC4M32B2P-6A IT:L
2865
TSSOP/1608+
特价特价全新原装现货
MT48LC4M32B2P-7IT:G
654
TSSOP86/21+
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MT48LC4M32B2P-6
6000
TSOP/24+
原装现货，品质为先请来电垂询
MT48LC4M32B2P-6A:L
9800
21+/TSOP86
只做原装假一赔十正规渠道订货
MT48LC4M32B2B5-6AIT:L
284
BGA90/18+
原装
MT48LC4M32B2P-7IT
6800
TSSOP86 Welcome to www.zhjgic.com/1802+
原装正品，中国存储芯片优质供应商
MT48LC4M32B2P-6IT
6500
TSOP/24+
100%原装进口现货特价，长期供货
MT48LC4M32B2P-6A IT:L
5000
86TFSOP/22+
原装现货
MT48LC4M32B2B5-6A:L
65200
BGA90/22+
全网价，认准华盛锦
MT48LC4M32B2B5-6A:L
8570
FBGA90/2248
MICRON专营价优
MT48LC4M32B2B5-6AIT:L
6740
BGA90/23+
只做原装
MT48LC4M32B2B5-6ASOP
8300
sop/21+
原装现货
MT48LC4M32B2
SYNCHRONOUS DRAM
MICRON
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MT48LC4M32B2
SYNCHRONOUS DRAM
MICRON [Micron Technology]
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MT48LC4M32B2TG
SYNCHRONOUS DRAM
MICRON
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MT48LC4M32B2TG
SYNCHRONOUS DRAM
MICRON [Micron Technology]
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MT48LC4M32B2P-6:G
IC, SDRAM 128MB, SMD, 48LC4, TSOP86;...
Micron
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MT48LC4M32B2P-7:G
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 86TSOP
Micron
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MT48LC4M32B2B5-6:G
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 90VFBGA
Micron
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MT48LC4M32B2B5-7:G
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 90VFBGA
Micron
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MT48LC4M32B2F5-6:G
DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 3.3V 90-Pin...
Micron
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MT48LC4M32B2TG-7:G
IC SDRAM 128MBIT 143MHZ 86TSOP
Micron
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高精度高性能应用的浮点型dsp，它在c67x的基础上，增加了很多外围设备和接口。该芯片内核主频最高可达300mhz，处理能力可达2400mpis，内部具有可配置的二级cache，具有丰富的外设资源，32bits的外围数据存储器接口(emif)可以与sdram，flash等存储器件无缝连接，支持hpi，pci，i2c总线。 ③ tms320c6713的内部最多只有256k的l2 sram，不能满足系统大容量数据存储的需要，需要扩展外部存储的空间，系统采用micron公司的32位sdram芯片mt48lc4m32b2，扩展了128m的动态存储空间。 ④ 本系统的flash存储器采用sst公司的sst39vf160。sst39vf160采用单电源2.7v供电，访问时间仅为90ns，快速擦除，全片擦除只需15ms，快速烧写，全片烧写只需7s。 ⑤ tms320c6713需要高精度、稳定的双电源供电，以保证系统的正常运行。本系统采用ti公司推出的具有外部补偿电路、过流保护电路的高精度电源芯片tps54310（图中未画出）。 ⑥ 按键控制电路和lcd显示线路比较简单这里就不详细介绍了。
e0。ce3的一部分被配置给osd功能的同步操作和扩展的fpga中的其他同步寄存器操作。本系统合并形成了一个64bit长的外部存器端口，将地址空间分割成了4个芯片使能区，允许对地址空间进行8bit、16bit、32bit和64bit的同步或不同步的存取，并且使用了芯片使能区ce0、ce1和ce3。ce0被发送给64bit的sdram总线，ce1被8bit的flash和fpga功能使用，ce3被设置成同步功能。 （1）sdram寄存器端口 在ce0空间连接了64bit的sdram总线。选取2片mt48lc4m32b2来构成sdram。这32m的sdram空间用来存储程序、数据和图像处理中间结果等信息。总线由外部pll驱动设备控制，在133mhz的最佳运行状态下运行。sdram的刷新由tms320dm642自动控制。 (2)flash寄存器接口 本系统扩展4m的flash，映射在ce1空间的低位。flash寄存器选用4mx8的am29lv033c。flash寄存器主要用来导入装载和存储fpga的配置信息。ce1空间被配置成8bit,flash寄存器也是8bit。由于ce1的可利用地址空间小于flash的空
e0、ce1和ce3.ce0被发送给64 bit的sdram总线，ce1被8 bit的flash和fpga功能使用，ce3被设置成同步功能。 2.3.1 sdram存储器 sdram:synchronous dynamic random access memory,同步动态随机存储器，同步是指 memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。 本系统采用mt48lc4m32b2[4]来构成sdram存储器，大小为1 m×32 bit×4 banks, 在ce0空间连接了64 bit的sdram总线。总线由外部pll驱动设备控制，在133mhz的最佳运行状态下运行，sdram的刷新由tms320dm642自动控制。tms320dm642的emif与sdram接口图如图4所示。 2.3.2 flash存储器 flash闪存 闪存的英文名称是"flash memory",一般简称为"flash",它属于内存器件的一种。 不过闪存的物理特性与常见的内存有根本
PC100功能；完全同步，所有的信号寄存器在系统时钟的正边缘；内部流水线操作，每一个时钟周期列地址都可以改变；内部区域用作隐藏行存取/预设；可编程突发脉冲长度：1、2、4、8或整页；自动预设，包括并行自动预充电，自动刷新模式；自刷新模式；64ms，4096周期刷新(15.6μs/行)；所有的输入和输出都是LVTTL兼容的；单+3.3V±0.3V电源
详细地说：我用的是dm642的ce0口接了两片sdram芯片--mt48lc4m32b2－1m×32×4 banks所以sdram的空间应该是：下面的是.cmd文件的一部分memory{ iram: o = 00000000h l = 00040000h /* 片内256k字节 */ ce0: o = 80000000h l = 02000000h /* 片外32m字节 */}可是我对8ffffff0这一地址进行些数据读书据在ccs上都显示正确，而且将该地址的数据对gpio口赋值，发现都是正确的，怎么会这样呢？请大家指教
采用两片mt48lc4m32b2－1m×32×4 banksiram: org = 0x90000000, len = 0x98000000 ？
奇怪的问题：超出sdram的地质，ccs都能正常执行，硬件显示正确?详细地说： 我用的是dm642的ce0口接了两片sdram芯片--mt48lc4m32b2－1m×32×4 banks所以sdram的空间应该是：下面的是.cmd文件的一部分memory{ iram: o = 00000000h l = 00040000h /* 片内256k字节 */ ce0: o = 80000000h l = 02000000h /* 片外32m字节 */}可是我对8ffffff0这一地址进行些数据读书据在ccs上都显示正确，而且将该地址的数据对gpio口赋值，发现都是正确的，怎么会这样呢？请大家指教
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