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NE5517D Dual operational transconductance am... PHILIPS [Philips Semiconductors] NE5517DPDF下载
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NE5517DG Transconductance Amplifier 2 Circuit... NE5517DGPDF下载
NE5517DG Dual Operational Transconductance Am... ONSEMI [ON Semiconductor] NE5517DGPDF下载
NE5517DR2 Dual Operational Transconductance Am... ONSEMI [ON Semiconductor] NE5517DR2PDF下载
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NE5517D价格行情

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历史最低报价：￥2.0000 历史最高报价：￥9.2000 历史平均报价：￥4.6039

型号厂家封装批号数量日期价格
NE5517D SIEMENS SOP-16 06+ 2008/12/16 0:00:00 2.0000/pcs
NE5517D ON SOP16 06+ 2008/3/1 0:00:00 2.0000/pcs
NE5517D PHILPS SOP16 06+ 2007/7/31 0:00:00 2.0000/pcs
NE5517D PHI SOP16 2008/12/16 0:00:00 2.2000/pcs
NE5517D PHI SOP 06+ 2008/3/1 0:00:00 2.4000/pcs
NE5517D PHI SOP-16 9905+ 789 2010/9/26 11:35:09 3.0000/pcs
NE5517D PHILIPS SOP-16 08+ 25600 2010/6/15 16:59:04 3.0000/pcs
NE5517D ON SOP16 04+ 2008/12/16 0:00:00 3.0000/pcs
NE5517D SIEMENS SOP-16 2008/9/23 0:00:00 3.0000/pcs
NE5517D 原厂原装 2008/9/23 0:00:00 3.0000/pcs

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相关应用
引脚图及结构图

标准包装:
48
类别:
集成电路 (IC)
家庭:
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列:
-
放大器类型:
跨导
电路数:
2
输出类型:
推挽式
转换速率:
50 V/µs
增益带宽积:
2MHz
-3db带宽:
-
电流 - 输入偏压:
400nA
电压 - 输入偏移:
400µV
电流 - 电源:
2.6mA
电流 - 输出 / 通道:
650µA
电压 - 电源，单路/双路(±):
4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V
工作温度:
0°C ~ 70°C
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装:
16-SOIC
包装:
管件

NE5517DG的技术参数
产品型号:NE5517DG
通道数:2
工作电压Max. (V):44
输入失调电压Max.(mV):0.400
电源电流(典型值)(mA):2.600
输入偏置电流Iio(max)(μA):0.400
带宽典型值(MHz):2
转换速率(典型值)(V/μs):50
封装/温度(℃):SO-16 /0~70<...
NE5517DR2G的技术参数
产品型号:NE5517DR2G
工作电压Min.(V):36/±15
工作电压Max.(V):44/±22
带宽GBW(典型值)(MHz):2
转换速率(典型值)(V/us):50
输入失调电压(25℃,Max.)(mV):0.400
输入偏置电流(Max.)(nA):
最大工作电流ID(mA):4
共模抑制...

NE5517D
恒阻抗缓冲器；缓冲器的△VBE是常数，具有放大器IBIAS改变；在放大器之间优良的匹配；线性二极管；高输出信噪比；可供无铅封装；温度范围：0～＋70℃

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

放大器类型:

电路数:

输出类型:

转换速率:

增益带宽积:

-3db带宽:

电流 - 输入偏压:

电压 - 输入偏移:

电流 - 电源:

电流 - 输出 / 通道:

电压 - 电源，单路/双路(±):

工作温度:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

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