SST39VF1682-70-4C-B3KE
9850
TFBGA/-
进口原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
80000
-/23+
原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
20226
-/22+
原厂原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
80000
-/23+
原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
80000
-/23+
原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
80000
-/23+
原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
80000
-/23+
原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
80000
-/23+
原装现货
SST39VF1682-70-4C-B3K
3588
-/-
原装 部分现货量大期货
SST39VF1682-70-4C-B3K
80000
-/23+
原装现货
Microchip
闪存
8 bit
NAND
16 Mbit
Sectored
CFI
70 ns
3.6 V
2.7 V
18 mA
+ 70 C
SMD/SMT
TFBGA-48
Tray
2 MB x 8
组织结构为2M×8;读、写操作电压2.7~3.6V;高可靠性,保证100000次读/写,数据保持100年;低功耗操作,动态电流:9mA(典型),待机电流:3μA(典型),自动低电源模式:3μA(典型);硬件块保护/WP#引脚输入:顶部块保护(顶部64KB); 扇区擦除操作功能:均匀的4KB扇区; 块擦除操作功能:均匀的64KB块; 芯片擦除操作功能; 擦除擦作有暂停/恢复功能; 硬件复位引脚(RST#);ID安全特性:SST:128位,用户:128位; 快速读取时间:70ns或90ns;锁存地址和数据; 快速擦除操作和字节编程时间,扇区擦除操作时间:18ms(典型值),块擦除操作时间:18ms(典型值),芯片擦除操作时间:40ms(典型值); 字编程时间:7μs(典型值); 自动调节写操作时间; 写操作完成监测:Toggle位,Data#轮询; 兼容CMOS I/O; 符合JEDEC标准; 温度范围:0~+70℃(商用级C);读取时间:70ns