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512K 】 8 CMOS FLASH MEMORY WITH LPC...
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操作电压：3.3V：读操作电压： 3.3V，擦除操作电压：3.3V，程序操作电压：3.3V； 快速程序操作：按字节程序时间：VPP ＝12V时7μs(典型值)，VPP＝VCC时10μs(典型值)；快速的擦除操作：扇区擦除操作时间0.6s(典型)，分页擦除操作时 间0.3s(典型)； 快速读取时间：11ns；保证50000次的循环周期(典型值)； 掉电数据保持20年；6个等 64KB扇区，16个等8KB页面和8个等64KB扇区；任意独立的扇区能够被擦除； 硬件保护：＃TBL支持64KB 的启动块的硬件保护，＃WP支持除了启动块外的整个芯片的硬件保护；低电源功耗，动态电流：15mA(典 型LPC读模式) 内部生成VPP自动调节编程和擦除操作时间；监测编程和擦除操作是否完成： Toggle位和Data轮询；锁存地址和数据；兼容TTL I/O
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