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集成运算放大器:制造工艺对其性能影响
a的范围内，有相当低的失调电压和漂移，以及低电压噪声。这类放大器的实例有741和301等。二、超工艺超工艺是标准的双极性工艺的一种补充。利用一个附加的扩散步骤，就可以生产值为几千的npn晶体管，输入偏置电流降低约一个数量级，达到10na或更低。输入级增大的增益降低了输入偏置电流，并改善了共模抑制能力，这是精密放大器的两个重要规范。超运放的典型开环增益为几兆，共模抑制比超过100db，输入失调电压特性类似于或超过标准的双极型运放。超放大器的例子有308、ad510和ad517等。三、介质隔离双极型在常规的双极性和超集成电路中，各个晶体管是利用反相偏置的p-n结彼此隔离的，限制横向pnp晶体管（并且归根结底限制放大器）的带宽的是这些寄生电容。介质隔离（di）工艺利用薄氧化层来提供晶体管之间的隔离，于是使得制造高速pnp晶体管进而生产高速放大器成为可能。然而di工艺不是没有其局限性的，氧化层很容易被静电放电击穿，结果导致器件的损坏。另一个缺点是di电路比p-n结隔离的等效电路需要更大的几何面积，结果要求稍大一点的