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集成运算放大器:制造工艺对其性能影响
点是di电路比p-n结隔离的等效电路需要更大的几何面积，结果要求稍大一点的芯片尺寸。四、bifet工艺 bifet工艺使用离子注入，在同时包含标准的双极型器件的芯片上，制作高击穿电压的结型场效应晶体管（jfet），可以把这样一对jfet管用作运放的输入器件，通常是以牺牲失调电压、漂移、cmr和噪声指标来获得其它一些性能。较新的设计为工厂修正bifet运放的失调电压和漂移提供了可能。一些精密的bifet型放大器的实例有ad542、ad544、ad547和双运放ad642、ad644、ad647。五、bi-mos工艺由于jfet能被用作高阻抗的输入级，人们可能很想考虑把mosfet管用于同一目的，某些厂商开发出能使mosfet包含在双极型集成电路上的生产工艺。理想状态mosfet管仅有氧化物漏流而没有jfet中的结漏流。这一漏流低得多，可能使输入偏置电流降低，然而，mosfet是种esd敏感器件，它要求在输入级上有二极管保护，常常是这些二极管呈现的漏流至少像jfet输入放大器的输入偏置电流一样大，而且在音频频谱内，mosfet往往是比jfet更多

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