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1520
CDIP/0512+
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AM27C010-120JC
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AM27C010-120DI
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AM27C010-120DC
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AM27C010
1 Megabit (128 K x 8-Bit) CMOS EPROM
AMD
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AM27C010
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AMD [Advanced Micro Devices]
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作为uv-eprom的实例，我们以amd公司1m位（128k×8位）uv-eprom的am27c010为例进行说明。 am27c010的引脚配置如图1所示，图2是在其内部框图的基础上，根据引脚的功能分组表示的。在图1中，nc引脚没有在图2中出现，nc是无连接（no-connection）的缩写，它虽然作为封装的引脚存在，但其内部并不与任何部件相连接。下面我们逐一说明这些引脚所代表的意思。 图1 am27c010的引脚配置 图2 am27c010的内部框图 1. a0～a16（地址总线） a0～a16为地址总线。因为am27c010是128k×8位结构的1m位的uv-eprom，所以地址有128k、17根总线。通常a0作为lsb（最低位比特）、a16作为msb（最高位比特）使用。ram由于只需要读出与写入时相同的内容，所以即使a15与a16反向连接也无所谓。而uv-eprom由于写入时使用了rom写入器，因而引脚的顺序几乎就不能替换进行使用（考虑软件解析的方法，有意替换地址来加以利用的例子也存在）。 作为特殊用途的a9引脚通过赋予＋12v的电压，可使其读出制造商名
电源电压以及输人输出电压等是由dc characteristic（直流特性）规定的。am27c010的dc规定如表所示。该表中经常出现的voh等表示方法基本上是这样规定的：开头第1个字母v表示额定电压，i表示额定电流；第2个字母的o表示输出，i表示输人，l表示漏电流或者负载电流；第3个字母的h表示高电平时的规定，l表示低电平时的规定。 表 am27c010的dc规定 1. voh/vol 这是对输出电压的规定。eprom数据输出缓冲器的输出电压如果是高电平，则在接近电源电压（vcc）之前无条件输出；如果是低电平，则输出电压为零则是其理想输出。但实际上，器件内部由于存在着某种电阻，输出端电流越大，高电平时的电压输出越低；相反，低电平时的电压输出越高。 测定条件中所表示的电流通过正负号表示电流的方向：负号表示电流由eprom流向外部的方向，正号表示外部流入eprom的方向。 2. vih/vil 这是对输人端的电压规定。规定输人多少伏以上的电压必须判断为高电平,多少伏以下的电压必须判断为低电平。当输入电压值为vil和vih之间的电压时，由于各种元器件所存在的误差，因
为rom（read only memory，只读存储器）的操作，因而非常简单。 将地址总线（a0～a16）设置为希望访问的地址，当ce＝oe＝低电平时，dq中出现数据。 现在，让我们来讨论ac特性。 ac特性对时序进行了规定。图显示了am27c0l0读操作时的波形。具体的时序如表所示。在“速度等级”一栏中虽然有许多内容，但这表示即使是相同的器件，也将根据tacc时间进行区分。器件中标示速度等级的“—45”及“－90”等的数值是与器件型号及批号等一同被打印上去的。 图 am27c010读操作的波形 表 am27c010的ac时序 这并不是根据速度等级的不同而进行不同的设计，即使是以完全相同的设计进行制造，也将根据试验结果和出货计划进行等级分类。例如，“－ 90”器件的tacc最大是90ns，它不能归类到“－70”的器件中。也就是说，tacc的实际测量值如果不是大于70ns、低于90ns之间的值，那么根据情况，可能被归类到“－45”及“—70”等的等级中。 下面我们针对图示的时序做少许补充。 1. tacc：地址访问时间（address access
ce一旦变为高电平，则uv-eprom处于非选择状态。此时，根据ce的电压，损耗电流将逐渐改变。当ce是－般的高电平（＋2.0v以上）时，处于ttl待机状态。尽管如此，但如果ce进而增高到vcc±0.3v，则uv－eprom处于cmos待机状态，损耗电流就会变得更小。am27c010的ttl待机电流最大为1.0ma，而其cmos待机时的电流为100μa，减小了一个数量级。 随着cmos器件各种形式组合的逐渐增多，有时侯会在无意识的情况下使器件处于cmos待机状态。最近，器件的电源电压一般都被降低到3.3v以下。如果这种器件的输出与am27c010连接，则可以在ttl待机状态下进行操作。 欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com） 来源:ks99
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