AOD413A
15000
T0252/21+
专营台产高低压MOS管/可控硅优势
AOD413A
5000
23+/TO252
-
AOD413A
2500
TO252/21+
专营现货库存 支持实单
AOD413A
10750
TO252/19+
本公司承诺,只做原装
AOD413A
36078
TO252/-
现货十年以上分销商,原装进口件,服务型企业
AOD413A
20307
-/22+
有挂就有货
AOD413A
48900
NEW/NEW
一级代理保证
AOD413A
74450
TO252/23+
只做大芯片/可代替进口/可订制
AOD413A
235000
NEW/NEW
一级代理保证
AOD413A
79265
NA/21+
原装优势库存,实单来谈
AOD413A
30000
TO252/21+
-
AOD413A
25000
N/A/2018
*原装现货.代理品牌*
AOD413A
2500
10+/TO252
未公开
AOD413A
5000
TO252/20+
-
s(on)工作于负温度系数区。 当内部产生热不平衡时,局部温度升高,导致这些区域的vgs降低。而流过这些区域单元的电流却进一步增加,使功耗增加,进而促使温度又进一步上升。其温度上升取决于功率脉冲电流的持续时间、散热条件和功率mos单元的设计特性,热失衡导致大电流集中到一个局部区域,形成熔丝效应,产生局部热点,最后导致这些区域单元的栅极失控,功率mos内部寄生的三极导通,从而损坏器件。 3 设计参数优化及器件选择 3.1 封装及热阻的影响 基于图1(a)的电路图,以ao4407a和aod413a做对比实验,输入电压为12 v,两个元件的参数如表1所示。ao4407a的封装为so8,aod413a封装为to252。aod413a的封装体积大,其热阻小,允许耗散的功率大。由于c1远大于两个元件的输入电容,c2远大于两个元件的米勒电容,因此在电路中,元件本身的输入电容和米勒电容可以忽略。如果外部的元件参数相同,在电路中用ao4407a和aod413a,则两者基本上具有相同的米勒平台的时间,如图2(a)、(b)所示。 为了对比aod413a和ao4407a抗热冲击的能力,延长米勒平台的