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  • Microsemi推出工作电压为165V的射频功率MOSFET

    microsemi公司近期新推出一款适用于mri、co2激光器、rf等离子发生器以及宽带线性放大器的vhf频段射频功率mosfet。 microsemi此次所推出的这款型号为arf521的rf mosfet采用了最新的专利生产技术和改良工艺,性能稳定,工作电压可高达165v直流电压,较之前的高电压部件能提供更高峰值功率和rf增益。arf521为单晶硅,采用突出rugged soe封装,输出功率在最高81mhz时为150w。 优点: ·输出功率高达150w ·rugged soe封装 ·工作频率高达150mhz ·工作电压为165v/500v bvdss ·兼容ab级 ·最大安全操作区域(soa) ·高负载不匹配适应性 ·热稳定性极佳 现有样品提供。量产时期请咨询工厂。 订货量为500 pieces时,单价为$44.05。可通过工厂或microsemi-rf授权的分销商订货。

  • Microsemi推出工作电压为165V的射频功率MOSFET

    microsemi公司近期新推出一款适用于mri、co2激光器、rf等离子发生器以及宽带线性放大器的vhf频段射频功率mosfet。 microsemi此次所推出的这款型号为arf521的rf mosfet采用了最新的专利生产技术和改良工艺,性能稳定,工作电压可高达165v直流电压,较之前的高电压部件能提供更高峰值功率和rf增益。arf521为单晶硅,采用突出rugged soe封装,输出功率在最高81mhz时为150w。 优点: ·输出功率高达150w ·rugged soe封装 ·工作频率高达150mhz ·工作电压为165v/500v bvdss ·兼容ab级 ·最大安全操作区域(soa) ·高负载不匹配适应性 ·热稳定性极佳

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