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UHF power LDMOS transistor
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UHF POWER LDMOS TRANSISTOR
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电视广播的高线性要求。mosfet场效应管具有负温度系数特性，无须另加温补电路。但易引发载波寄生相位调制。为求得效率和线性的平衡，晶体管通常工作在ab类，其非线性失真是不可避免的。近年来，飞利浦等公司相继开发出横向扩散金属氧化半导体硅厂效应管（ldmos），经uhf电视发射机使用证实，其线性和效率优于双极性晶体管、mosfet管，特别适合数字电视放大。即使工作在ab类，其性能仍接近a类放大特性，由于ldmos场效应管的的优异性能，使其成为uhf波段新型固态发射的。vhf波段功放单元功放管一般采用blf861a与blf278的vdmos场效应管blf278，uhf波段功放单元采用横向扩散金属氧化半导体硅场效应管（ldmos）blf861a。 表1 管脚与电极的对应关系 2.mos管的更换方法和注意事项 由于mos型场效应管制造工艺中绝缘层很薄，所以栅极和衬底易感应电荷，由栅极、绝缘层和衬底组成的电容器容量很小，感应电荷将在绝缘层上产生很高的电压，易导致场效应管绝缘层被击穿，以致损坏管子。所以在使用、保存、更换mos管时必须采取防静电措施。因为大功率mos管目前仍是一种较昂贵的器件，
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