BR601
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC
BR601PDF下载
BR601
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
HY
BR601PDF下载
BR601
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC [EIC discrete Semiconductors]
BR601PDF下载
BR601G
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
HY
BR601GPDF下载
BR601G
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
HY [HY ELECTRONIC CORP.]
BR601GPDF下载
%; ★充电过程分为激，快充和浮充； ★具有温度检测功能，可根据电池和环境温度改变充电策略； ★具有友好的人机界面，可对充电策略进行调整； ★散热方式：风冷。 主电路的整体框图： emi滤波电路： c1和l1组成第一级emi滤波 c2、c3、c4与l2组成第二级滤波。 l1,l2为共模电感 整流及功率因数校正电路： 整流桥： 流经二级管电流id=3.55a 二极管反向电压v=373v 考虑实际工作情况故选br601（35a/1000v）； 功率因数校正： 方案：boost型拓扑结构具有输出电阻低，硬件电路及控制简单，技术成熟，故选用boost结构； 芯片选择：ti公司的ucc28019可控制功率输出为100w-2kw,功率因数可提高到0.95,符合设计要求，故此次设计选用该款芯片； 电路图 dc-dc主拓扑结构： 方案选择： 在开关管承受峰值电流和电压的情况下，全桥输出功率为半桥的两倍，并切在功率大于500w时，全桥相对于半桥更合适，故本次设计采用全桥拓扑。
联系人：
联系方式：
