BTA12-800CW3G
66880
22/23+/TO220
-
BTA12-800CW3G
161550
20+/-
一站式BOM表配单/全新进口原装
BTA12-800CW3G
80000
-/-
深圳原装现货
BTA12-800CW3G
2283
TO220/18+
只做原装,也只有原装
BTA12-800CW3G
6500
13+/23+
只做原装现货
BTA12-800CW3G
30000
TO220AB/23+
全新原装,假一罚十
BTA12-800CW3G
168000
-/21+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
BTA12-800CW3G
31500
TO220/24+
只做原装,提供一站式配单服务
BTA12-800CW3G
6500
13+/23+
只做原装现货
BTA12-800CW3G
22358
TO220 3 LEAD STANDARD/22+
房间现货,价格优势。
BTA12-800CW3G
3000
TO220/20+
价格可以就出
BTA12-800CW3G
22050
TO220AB/23+
主营ON,全系列供应
BTA12-800CW3G
11980
TO220/22+
只做原装,原厂原装。合作共赢
BTA12-800CW3G
13564
TO2203/1806+
只做原装假一罚十自己库存实单可议公司现货
BTA12-800CW3G
68900
TO220/-
原包原标签100%进口原装常备现货
BTA12-800CW3G
7764
TO220/23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
BTA12-800CW3G
6607
-/23+
现货假一罚万只做原厂原装现货
BTA12-800CW3G
52300
2019+/-
誉辉天成,只做原装正品
BTA12-800CW3G
6500
-/2035+
原厂原装现货库存支持单天发货
50毫安(ma)的门触发电流(igt)。这btaxxx系列器件适合于讲究隔离电压、且安全是首要考虑的工业和控制应用。 btaxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造。 安森美半导体的bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供很好的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的dv/dt性能和三象限操作。 关键特性: 800伏(v)的阻塞电压 额定通态电流达均方根(rms) 16 a 对dv/dt具有2,000 v/us的免疫性 适合标准及无缓冲器设计 逻辑电平 三象限和四象限的均衡门触发电流 封装和价格: 这些器件采用隔离型to220封装。btaxxx系列的8a、12a 和16a版
btbxxx系列之后的又一得力产品系列。” btaxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用最新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造,提升了器件性能,使安森美半导体能以有竞争力的价格推出高性能的器件。 安森美半导体的新bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供一流的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的极佳dv/dt性能和三象限操作。该产品线将不断扩充,即将推出产品将具备敏感门和四象限操作等特性。 关键特性: * 高达800伏(v)的阻塞电压 * 额定通态电流达均方根(rms) 16 a * 对dv/dt具有高达2,000 v/us的高免疫性 * 适合标准及无缓冲器设计 * 逻辑电平 * 三象限和四
50毫安(ma)的门触发电流(igt)。这btaxxx系列器件适合于讲究隔离电压、且安全是首要考虑的工业和控制应用。 btaxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造。 安森美半导体的bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供很好的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的dv/dt性能和三象限操作。 关键特性: 800伏(v)的阻塞电压 额定通态电流达均方根(rms) 16 a 对dv/dt具有2,000 v/us的免疫性 适合标准及无缓冲器设计 逻辑电平 三象限和四象限的均衡门触发电流 封装和价格: 这些器件采用隔离型to220封装。btaxxx系列的8a、12a 和
c btbxxx系列之后的又一得力产品系列。” btaxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用最新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造,提升了器件性能,使安森美半导体能以有竞争力的价格推出高性能的器件。 安森美半导体的新bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供一流的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的极佳dv/dt性能和三象限操作。该产品线将不断扩充,即将推出产品将具备敏感门和四象限操作等特性。 关键特性: * 高达800伏(v)的阻塞电压 * 额定通态电流达均方根(rms) 16 a * 对dv/dt具有高达2,000 v/us的高免疫性 * 适合标准及无缓冲器设计 * 逻辑电平 * 三象限和四象限的均衡门触
btbxxx系列之后的又一得力产品系列。” btaxxx系列及与其对等的非隔离型btbxxx系列采用最新的硅片和封装设计,优化了裸片面积和封装构造,提升了器件性能,使安森美半导体能以有竞争力的价格推出高性能的器件。 安森美半导体的新bta08-600bw3g、bta08-800bw3g、bta12-600bw3g、bta12-800bw3g、bta16-600bw3g、bta16-800bw3g、bta08-600cw3g、bta08-800cw3g、bta12-600cw3g、bta12-800cw3g、bta16-600cw3g和bta16-800cw3g triac器件提供一流的隔离性能、适合无缓冲器设计的高门触发电流、可提升噪声免疫性的极佳dv/dt性能和三象限操作。该产品线将不断扩充,即将推出产品将具备敏感门和四象限操作等特性。 关键特性: - 高达800伏(v)的阻塞电压 - 额定通态电流达均方根(rms) 16 a - 对dv/dt具有高达2,000 v/us的高免疫性 - 适合标准及无缓冲器设计 - 逻辑电平 - 三象限和四象限的均衡门触发电流 这些器