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  • 电导率仪的电极的使用

    被测熔液电导率低于0.3 ns·cm 1,使用djs o.1量电极,这时应把rp2调节在所配套的电极的电极常数的10倍位置上,例如,配套电极常数为0.090,则应把rp2调节在0.90位置上。 ②当被测熔液的电导率低于10p,s·cm 1,使用djs—型光亮电板。这时应把rw,调节与所配套的电极的常数相对应的位置上,例如:若配套电极的常数为0.95,则应把rp2调节在0.95处,又如若配套电极的常数为1.1,则应把rp2两节在1.1的位置上。 ③当被测溶液的电导率在10~104μs·cm-1范围,则使用djs-1型铂黑电极,应把fip2调节在与所配套的电极的常数相对应的位置上。 ④当被测熔液的电导率大于104μs·cm-1,则选用djs-10型铂黑电极,这时应把rp2调节在所配套的电机有的常数的1/10位置上。例如,若电极的常为9.8,则应使rp2指在0.98位置上,再将测得的读数乘以10,即为被测熔液的电导率。 2)将电极插头插入电极插口内,旋紧插口上的紧固螺钉,再将电极浸人待测熔液中。 3)接着校正(当用1~8量程测量时,校正时高/低频开关8扳在低频,不用9~

  • PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

    成薄膜样品(以p-si衬底为例),其中,7号样品气压33.25pa;11号样品气压39.90pa;2号样品气压46.55pa;9号样品气压53.20pa;10号样品气压59.85pa。相应的准静态c-v、高频c-v特性测试,得到膜的电学参数列在表1。分析发现,薄膜样品i-v击穿特性并不是随反应室气压增加而单调变化,相对来说,2号样品的i-v特性最好,开始时随电压增大电流几乎为零并保持不变,当电压增大到200v左右时,电流突变急剧上升,曲线上升陡直,击穿“硬”,击穿电场eb高(约6.7×107v·cm-1)。结合表1结果分析看出,该薄膜样品各项电学参数都比较好,同时其抗热电子注入等物理电学性能也较好[10]。11号样品及9号样品的i-v特性都相当好,击穿电流上升陡直,曲线较“硬”,eb高(约6.6×107v·cm-1)。但从表1看到,11号及9号样品的ditm,δvfb与nf都不如2号的好。7号样品及10号样品的i-v击穿曲线也较好,eb较高(约6.5×107v·cm-1)。而从表1看出,这两批薄膜样品各项电学参数与2号比相差较远,7号和10号样品击穿曲线有些轻微波动,可能是电流急增时探针与样品

  • 电导率仪的

    1)未开电源开关前,观察仪表指针是否指向零,如不指向零,可调整表头上的螺钉,使表针指零。如果没有表头调整螺钉,则必须拆开仪表,卸下表头,即可调整零位(水平方向调整)。 2)将校正/测量开关7置于“校正”位置。 3)接通电源线,打开电源开关,预热20min(指针完全稳定为止),调节校正调节器6使电表指示满度。 4)当使用1~8量程来测量电导率低于300μs·cm-1的液体时,选用“低调”时高/低频开关8扳向低频即可。当使用9~12量程来测量电导率在大于300μs·cm-1范围里的液体时,即将高/低频开关8扳向高频。 5)将量程选择开关5扳到所需要的测量范围,如预先不知被测熔液电导率的大小,应先把其扳到最大电导率测量挡,然后逐挡下降,以防将表针打弯。 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99

  • 聚合物锂离子电池技术

    形成该类体系,如:聚氧化乙烯(peo)、聚氧化丙烯、聚氧杂环丁烷、聚乙烯亚胺、聚(n-丙基-1氮杂环丙烷)、聚硫化亚烃等。作为硬酸的li+倾向于和硬碱发生相互作用,所以锂盐在含氮、硫极性基团的聚合物中的溶解度较在含氧极性基团的聚合物中小,电导率(σ)很低而没有实际的意义;peo分子的构象比其它聚醚分子更有利于与阳离子形成多重配位,能溶解更多的锂盐,表现出好的导电性能,因此peo+锂盐体系就成为spe中最早和最广泛研究的体系。 但是常规的固态聚合物电解质(spe)的σ室温通常小于10-4s·cm-1,为满足锂离子电池的要求,在聚合物/盐体系中加入能促进锂盐离解、增加体系的自由体积分数并降低其玻璃化转变温度(tg)的增塑剂,可得到σ室温大于10-3s·cm-1的凝胶spe。增塑剂通常是高介电常数、低挥发性、对聚合物/盐复合物具有可混性和对电极具有稳定性的有机溶剂。如碳酸乙烯酯(ec)、碳酸丙烯酯(pc)、碳酸二甲酯、n-甲基吡咯烷酮、环丁砜、γ-丁内酯等。常用的锂盐有lipf6、lin(so2cf3)等。 运用xrd、dsc和交流阻抗等测试手段,对影响聚合物电导率的因素作了初步探讨。

  • 仪器的放大器与指示器

    放大器由vu、vt5、vt6及vt7组成,其中vu的输人阻抗很高,能与低电导测量范围高阻抗信号源相匹配。放大器各级以及放大器输出,与第三级间均存在深度的负反馈,这样不但得到了在小信号时检波二极管的非线性特性,使指示具有良好的线性。 放大后的信号是交流电,因电极极片间及电极引线,均出现了不可忽视的分布电容℃(大约60pf左右),电导池则有电抗存在。这样将电导池视作纯电阻来测量,则存在相当大的附加误差。特别在(0~0.1)μs·cm-1的低电导率量程里此误差最显著,因此有必要进行补偿,常用的方法是电容补偿,如图1所示。 图1中,信号源输出变压器的二次侧有两个输出信号e1及e,e1作为电容c,的补偿电源,e1与e的相位相反,因而由e1引起的电流i1流经rm,的方向与测量信号电流r流过rm的方向相反,调节rp1可使i与i1,相等,故其在rm上的影响可以抵消。 图1 电容补偿原理 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99

  • 简明英汉电子术语词典(一:A~G)

    em) 铜损 电流在绕组中流过时损失的功率。这种功率损失是等于电流的平方乘以导线的电阻(i2r)。这种功率损耗转化为热量。 coperoptics pairgain公司的商标 pairgain的商标,指该公司xdsl技术的功能。从本质上讲,使用pairgain的xdsl产品时,用户在铜质电缆传送信号时,可以达到光纤中传播光信号的质量。 core 磁芯 放在一个线圈里面或它的周围的磁性材料,以便为磁通量提供一个低阻力的通路。 core constant磁芯常数(c1)( [cm-1;mm-1] ) 磁路中各段磁路的长度除以各段磁路相应的横截面积,然后加来得到的数。用“∑l/a”表示 core constant 磁芯常数(c2)( [cm-3;mm-3] ) 磁路中各段磁路的长度除以各段磁路相应的磁横截面积的平方,然后加来得 到的数。 core constant 磁芯常数(cx、cm-* ) 磁路中各段磁路的长度除以各段磁路相应的磁横截面积,然后加来得到的数。 core losses 磁芯损失 磁芯损失是由于磁芯材料中的交变磁场引起的。磁芯损失与频

  • 40Gb/s WD-PIN-PD/TIA 组件的光电特性及其测试

    有源区)吸收光产生载流子、通过高场下漂移或扩散,进而在pin耗尽区产生附加电势,并在外电路流过的电流。该电流与入射光功率、光耦合效率、入射面反射系数、探测器光敏面面积、探测器中吸收层材料的光吸收系数以及内量子效率等因素紧密相关。根据连续性方程和边界条件,光电流iopt可以表示为: iopt = (1- r) iopt (x) d x = (1-r) iopt (0) e(-α(λ)x) d x (1) 这里,r为反射系数;α(λ)为光吸收系数,对ingaas ,α(λ)≈ (2-4) ×103 cm-1 ; e-α(λ)反映入射光的利用率,当作用区长度l> 1/α(λ) 时,光的利用率可达95%以上;iopt (0) 为起始光电流。它与探测器作用区中的内量子效率紧密相关,是材料结构参数的灵敏函数。 暗电流是指探测器在规定反向电压下无光照时的电流。它对探测器光接收灵敏度是一种噪声限制。也是衡量光探测器制作技术优劣的主要指标。该电流主要由pin结耗尽区的产生电流、pin结邻近区域的扩散电流、i区的隧道电流以及表面漏电流组成。对台面型器件,重要的是裸露的pin台面周边保护问题。如果台面周边裸露

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