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  • 基于PWM的可控硅非线性调光LED驱动电路

    明。常见的调光有双向可控硅调光、后沿调光、on/off调光、遥控调光等。可控硅调光器在传统的白炽灯等调光照明应用已久,且不用改变接线,装置成本较低,各品牌可控硅调光器的性能和规格相差不大,但是其直接应用在led驱动场合还存在着一系列问题。 1 双向可控硅triac调光原理 市面上大多数可控硅调光器基本结构如图1所示,其工作原理如下:当交流电压加双向可控硅triac两端时,由于rt、ct组成的rc充电电路有一个充电时间,电容上的电压是从0v开始充电的,并且triac的驱动极串联有一个diac(双向触发二极管,一般是30v左右),因此triac可靠截止。当ct上的电压上升到30v时,diac触发导通,triac可靠导通,此时triac两端的电压瞬间变为零,ct通过rt迅速放电,当ct电压跌落到30v以下时,diac截止,如果triac通过的电流大于其维持电流则继续导通,如果低于其维持电流将会截止。电感l和电容c的作用是减小电流和电压的变化率,以抑制电磁干扰emi问题。 可控硅前沿调光器若直接用于控制普通的led驱动器,led灯会产生闪烁,更不能实现宽范围的调光控制。原因归结

  • 基于LED照明应用的无闪烁调光实现

    导通所必须维持的最小负载。为维持可控硅的稳定工作,该电流不能为零,ih的典型值介于8 ma到40 ma.驱动白炽灯时,维持电流不是问题。 对可控硅控制器来说,白炽灯的阻抗非常低,因此不会出现振荡。相反,led驱动器具有高阻抗,而且其输入emi滤波电路由电容和电感组成。在每个半周期,当可控硅导通时就会出现浪涌电流,最糟糕的情况是,在90°导通角下输入电压达到最大值。如果振荡导致电流降到ih以下,可控硅将关断(图3)。 图3:输入em滤波器引起的电流振荡。 当可控硅关断时,r1和r2对diac(图2)重新充电至击穿阈值。diac然后导通triac,重新开始下一开关周期。结果是在同一输入线路周期内多次重启动可控硅(图4)。 图4:可控硅因振荡多次重启动。 为避免出现与可控硅调光相关的问题,led驱动器必须满足led负载非常不同的要求,同时还得与专为白炽灯设计的调光电路实现兼容。用于替换标准白炽灯的led灯通常包含多个led,确保提供均匀的光照。这些led以串联方式连接在一起。 led灯要想实现可调光,其电源必须检测可控硅控制器的可变相位角输出,并利用该信息来改变led的恒

  • 采用可控硅调光器的节能灯电子镇流器

    流增加,灯光变亮;当频率升高时,l的阻抗增加,灯电流变小,灯光变暗。因此,通过调频可以实现调光。调光的最大亮度电平是灯管的额定功率(即100%),亮度调节不能超过最大亮度电平。 事实上,利用传统的三端双向可控硅(triac) 调光器,也可以对电子镇流器进行调光,而且电路简单,成本低廉,调光范围可以从10%~100%. 1 三端双向可控硅调光器 1.1 白炽灯调光器 传统白炽灯调光器电路如图2 所示。其中:vs 为三端双向可控硅(triac);d 为双向(触发)二极管(diac);rp 为调光电位器,r是rp 的串联电阻;c为电容器。d 通常选用bd3,其击穿电压为32 v 左右。当电容c被充电到约32 v 时,diac 击穿导通,触发triac 导通,并且triac 的导通电压降很小。一旦电流降至其保持电流ih 以下,triac 则关断。triac 具有双向对称的伏安特性,如图3 所示。在ac 线路电压过零后,经过一定的延时,在ac 电压的负半周triac同样会导通。调节rp 可以改变triac 的导通角,从而实现调光。rp 电阻值越大,延迟角则越大,triac 导

  • 蓝牙基带数据传输机理分析

    和主-从两种跳频序列。蓝牙系统中使用的跳频序列有如下几种:(1) 呼叫跳频序列:在呼叫(page)状态使用;(2) 呼叫应答序列:在呼叫应答(page response)状态使用;(3) 查询序列:在查询(inquiry)状态使用;(4) 查询应答序列:在查询应答(inquiry response)状态使用;(5) 信道跳频序列:在连接(connection)状态使用。3.2 蓝牙连接建立从待令状态到连接状态的过程就是连接建立过程。通常来讲,两个设备的连接建立过程如下:首先,主节点使用giac和diac来查询范围内的蓝牙设备(查询状态)。如果任何附近的蓝牙设备正在监听这些查询(查询扫描状态),就发送它的地址和时钟信息后,从节点可以开始监听来自主节点的寻呼消息(寻呼扫描),主节点在发现附近的设备之间可以寻呼这些设备(寻呼状态),建立链接。在寻呼扫描的从设备被这个主节点寻呼后,就会以dac(设备访问码)来响应(slave response substate)。主节点在接收到从节点的响应后,便可以以送主节点的实时时钟、bd_addr、bch奇偶位和设备类(fhs分组包),最后在从节点已经接收到这个f

  • 基于EZDimming的节能LED照明系统

    2.1 电阻式调光 过去,曾采用最原始的电阻式调光,如图1所示,在照明电路中由一个可变电阻进行调光。应用非常简单,也不会产生干扰,但其分压原理是让电能不完全用在灯具(电器)上,没有效率可言。调暗灯光时,调光电阻因分压过多而产生大量的热能,造成能源的浪费和环境的劣化。故取而代之的是可控硅调光方式。 图1 电阻式调光 2.2 可控硅调光 如图2所示,可控硅调控技术的基本原理是:利用rc移相来延迟触发,实现斩波,改变电压的均方根值(有效值为vrms)。同时,利用双向可控硅(diac)导通电压的对称性,达到可控硅(triac)的对称触发。故改变电阻值就可得到不同的导通角,应用切相原理,减少vrms,以降低普通负载(电阻负载)的功率。 图2 改变电阻值可得到不同的导通角 因此效率较高,性能也稳定。图3为可控硅调光器的工作原理图。 图3 可控硅调光的工作原理图 可控硅技术在工作中的特性(i-v特性)如图4所示。根据i-v特性可知:triac在导通后,需要维持最小电流(维系电流ihold)来保持导通,否则会恢复到截止状态;不同的triac会有不同的ih

  • 可靠性好的交流固体继电器 (图)

    交流固体继电器(ac·ssr)亦称交流无触点开关,在计算机控制等逻辑控制电器中可达到以弱控强和弱强隔离的目的。本文向读者推荐一种简单好用、性能稳定、便于自制的交流固体继电器。由于它对元器件指标要求不高,从而降低了成本。 下图是本交流固体继电器的电路图,其中diac是双向二极管,用以保证双向可控硅scr的可靠导通;在双向可控硅导通后,diac用来保护光敏三极管免于击穿;又利用diac的导通稳压特性和电容c1的移相作用,使触发支路的功率降低。由于使用了diac,使得许多在其它电路中不易触发而被筛选掉的可控硅能够重新使用,并稳定地工作。 图中r*一般选100~150ω,主要考虑是使光电耦合器opc工作可靠;d1为保护光电耦合器而设。交流经r1与c1构成的阻容支路由d2~d5整流作为触发回路的激励源,r2与c2为阻容吸收网络,防止感性负载下的误触发;c3用于抑制高频干扰。 双向二极管选北京椿树整流器厂生产的diac,转折电压vbo≥20v,曲复电压≥5v即可(峰值输出电流一般都满足触发要求);光电耦合选北京光电器件厂的gd310~315中任一种均可;双向可控硅没

  • 可靠性好的交流固体继电器

    交流固体继电器(ac·ssr)亦称交流无触点开关,在计算机控制等逻辑控制电器中可达到以弱控强和弱强隔离的目的。本文向读者推荐一种简单好用、性能稳定、便于自制的交流固体继电器。由于它对元器件指标要求不高,从而降低了成本。 其中diac是双向二极管,用以保证双向可控硅scr的可靠导通;在双向可控硅导通后,diac用来保护光敏三极管免于击穿;又利用diac的导通稳压特性和电容c1的移相作用,使触发支路的功率降低。由于使用了diac,使得许多在其它电路中不易触发而被筛选掉的可控硅能够重新使用,并稳定地工作。 一般选100~150ω,主要考虑是使光电耦合器opc工作可靠;d1为保护光电耦合器而设。交流经r1与c1构成的阻容支路由d2~d5整流作为触发回路的激励源,r2与c2为阻容吸收网络,防止感性负载下的误触发;c3用于抑制高频干扰。 双向二极管选北京椿树整流器厂生产的diac,转折电压vbo≥20v,曲复电压≥5v即可(峰值输出电流一般都满足触发要求);光电耦合选北京光电器件厂的gd310~315中任一种均可;双向可控硅没有严格要求,只要是好管子,一般都能用。

  • 双向触发二极管的检测 (组图)

    此主题相关图片如下: 1)用万用电表检测好坏 将万用表拨至r×1k(或r×10k)档.由于双向触发二极管的ubo值都在20v以上,而万用表内电池远小于此值,所以测得diac的正、反向电阻都应是无穷大,否则pn结击穿。 2)用万用电表和兆欧表检测diac的转折电压此主题相关图片如下: 首先按图接好电路,测试中由兆欧表提供击穿电压,并用直流电压表测量diac的ubo值。然后调换管子电极,测出ubo值。最后检查转折电压的对称性。由于diac有双向对称的特点,可从两次测量值中任选一个定为ubo,则另一个测量值便为ubr,由此可算得ub值,进而检查管子对称性情况

  • 双向触发二极管的检测

    此主题相关图片如下: 1)用万用电表检测好坏 将万用表拨至r×1k(或r×10k)档.由于双向触发二极管的ubo值都在20v以上,而万用表内电池远小于此值,所以测得diac的正、反向电阻都应是无穷大,否则pn结击穿。 2)用万用电表和兆欧表检测diac的转折电压此主题相关图片如下: 首先按图接好电路,测试中由兆欧表提供击穿电压,并用直流电压表测量diac的ubo值。然后调换管子电极,测出ubo值。最后检查转折电压的对称性。由于diac有双向对称的特点,可从两次测量值中任选一个定为ubo,则另一个测量值便为ubr,由此可算得ub值,进而检查管子对称性情况。本文摘自《可控硅应用技术网》

  • 双向触发二极管

    △ub表示 △ub=ubo-|ubr| 一般要求 △ub<2u。 双向触发二极管的耐压值 ubo 大致分三个等级: 20——60v,100——150 v,200——250 v 。 在实际应用中,除根据电路的要求选取适当的转折电压 ubo 外,还应选择转折电流 ibo 小、转折电压偏差△ub小的双向触发二极管。 此主题相关图片如下: 双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外,还常用在过压保护、定时、移相等电路,图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过diac和ubo时,diac迅速导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。

  • 双向触发二极管(DIAC

    双向触发二极管亦称二端交流器件(diac),与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉,所以常用来触发双向晶闸管,构成过压保护电路、定时器等。 双向晶闸管的结构、符号及等效电路如图1所示。它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的npn晶体管。正、反向伏安特性完全对称,见图2。当器件两端的电压v小于正向转折电压v(bo)时,呈高阻态;当v>v(bo)时进入负阻区。同样,当v超过反向转折电压v(br)时,管子也能进入负阻区。转折电压的对称性用⊿v(b)表示,⊿v(b)= v(bo)-v(br),一般要求⊿v(b)<2v。双向触发二极管的耐压值(v(bo))大致分三个等级:20~60v,100~150v,200~250v。 图3是由双向触发二极管和平共处双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过diac的v(bo)时,diac导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。 下面介绍用兆欧表和万用表检查双向触发二极管的方法。 (1)将万用表拨于r×1k(或r×10档),因为diac的v(bo)值都20v以上,所以测量正、反向电阻值均为无穷大

  • 双向触发二极管(DIAC)

    双向触发二极管亦称二端交流器件(diac),与双向晶闸管同时问世。由于它结构简单、价格低廉,所以常用来触发双向晶闸管,构成过压保护电路、定时器等。双向晶闸管的结构、符号及等效电路如图1所示。它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的npn晶体管。正、反向伏安特性完全对称,见图2。当器件两端的电压v小于正向转折电压v(bo)时,呈高阻态;当v>v(bo)时进入负阻区。同样,当v超过反向转折电压v(br)时,管子也能进入负阻区。转折电压的对称性用⊿v(b)表示,⊿v(b)= v(bo)-v(br),一般要求⊿v(b)<2v。双向触发二极管的耐压值(v(bo))大致分三个等级:20~60v,100~150v,200~250v。图3是由双向触发二极管和平共处双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过diac的v(bo)时,diac导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。下面介绍用兆欧表和万用表检查双向触发二极管的方法。(1)将万用表拨于r×1k(或r×10档),因为diac的v(bo)值都20v以上,所以测量正、反向电阻值均为

  • 可靠性好的交流固体继电器电路

    交流固体继电器(ac·ssr)亦称交流无触点开关,在计算机控制等逻辑控制电器中可达到以弱控强和弱强隔离的目的。本文向读者推荐一种简单好用、性能稳定、便于自制的交流固体继电器。由于它对元器件指标要求不高,从而降低了成本。下图是本交流固体继电器的电路图,其中diac是双向二极管,用以保证双向可控硅scr的可靠导通;在双向可控硅导通后,diac用来保护光敏三极管免于击穿;又利用diac的导通稳压特性和电容c1的移相作用,使触发支路的功率降低。由于使用了diac,使得许多在其它电路中不易触发而被筛选掉的可控硅能够重新使用,并稳定地工作。图中r*一般选100~150ω,主要考虑是使光电耦合器opc工作可靠;d1为保护光电耦合器而设。交流经r1与c1构成的阻容支路由d2~d5整流作为触发回路的激励源,r2与c2为阻容吸收网络,防止感性负载下的误触发;c3用于抑制高频干扰。双向二极管选北京椿树整流器厂生产的diac,转折电压vbo≥20v,曲复电压≥5v即可(峰值输出电流一般都满足触发要求);光电耦合选北京光电器件厂的gd310~315中任一种均可;双向可控硅没有严格要求,只要是好管子,

  • 双向触发二极管

    双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的,常用来触发双向晶闸管。此主题相关图片如下:双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外,还常用在过压保护、定时、移相等电路,图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过diac和ubo时,diac迅速导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外,还常用在过压保护、定时、移相等电路,图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过diac和ubo时,diac迅速导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。

  • 硅单向开关SUS

    硅单向开关sus(silicon unidirectional switch)亦称单向触发晶体管,上继双向触发二极管(diac)之后发展起来的新型触发器件。三个引出端分别是阳极a,阴极k,门极g,比diac增加了门极。硅单向开关实质上是由稳压管控制的n门极晶闸管构成集成电路。其结构、等效电路、符号及典型产品的外形如图1所示。典型产品有us08a等,外形同塑封晶体管。伏安特性示于图2中。 硅单向开关具有以下特点: 第一:稳压二极管并联在门极与阴极之间,稳压值为6~10v。导通过程首先将稳压管反向击穿,然后晶闸管才导通,a-k间正向压降迅速降到v(on)。 第二:正反向转折电压不对称,有关系式v(br)>v(bo)》v(on)。导通压降只有零点几伏,通态电阻仅2ω左右。 第三:开关特性好,导通时间仅0.2μs左右。利用集成电阻r可以提高开关速度。 硅单向开关主要用于晶闸管移相电路。此外,它能代替单结晶体管构成振荡器,还可组成温度越限报警器、直流电机调速器管。 下面介绍用万用表和兆欧表检查硅单向开关的方法。 1.判定门极g 由图1(a)可见,在a-g、k-g之间分别有一个pn结,根据对称性很容易

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DIA050000 DH7107GP DH7107 DH321 DH0165 DG9052 DG611 DG535 DG529 DG509

DIALIGHT DIB7000-H DIB7700-P DIGITAL D-ILA DIN01 DIN41612 DIODE DIODES DIP14

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