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A Novel ZCS PWM Half- bridge Converter

al principles fig.1 shows the circuit diagram of the half-bridge converter. in the schematic, lr1 to lr4 are resonant inductors, the cr is resonant capacitor, s1 and s2 are main switches, s3 and s4 are auxiliary switches, d1 to d4 are anti-parallel diodes in the switches, cs1 to cs4 are snubber-capacities. the circuit is the conventional half bridge topology incorporating the auxiliary resonant tank that composed of switches s3 and s4. the zero current switching state can be obtained by controlling

电解电容寿命纹波电流测试

1. 工作原理/working principle ★ 当u2为正半周并且数值大于电容两端电压uc时，二极管d1和d3管导通，d2和d4管截止，电流一路流经负载电阻rl，另一路对电容c充电。当uc>u2，导致d1和d3管反向偏置而截止，电容通过负载电阻rl放电，uc按指数规律缓慢下降。 ★ the diode d1&d3 work, d2&d4 cut off, the current flows through the load resistance rl in a loop and charge the capacitor c up when u2 in the positive half circuit and its value exceeding the voltage uc which is parallel connected in the two terminals of capacitor. when uc exceeds u2, and causes the diode d1&d3 cut off, the capacit

放大器电气过应力EOS问题分析

生瞬态过压条件。如果电源电压超出放大器的电压击穿极限，则 esd 吸收器件可能会被触发，从而在电源引脚之间形成一个传导路径。 图 8 电源引脚过压保护图中翻译： (左)5v 电源电压 1us 瞬态(1us transient riding on 5v supply voltage) (右上)+5v 电源线 5v 1us 瞬态(5v 1us transient riding on+5v supply line) (右下)无 tvs 模型时仿真中使用的齐纳二极管(zener diode used in simulation on tvs model available) a、rlc 电路的输入电流限制(limits input current with rlc circuit) b、tvs 的输入电压限制(limits input voltage with tvs)利用 rc 或 rlc 电路，您可以保护器件免于电源瞬态(请参见图 8)。使用一个普通的板上 emi/rfi 滤波器便可完成这项工作。然而，电路的响应会随 rlc 常数和负载特性的不同而呈现出极大的差异

开关电源设计原理及全过程

0.86cm2,可绕面积（槽宽）=10mm,因margin tape使用2.8mm,所以剩余可绕面积为4.4mm. 假设滤波电容使用47uf/400v,vin（min）暂定90v. 决定变压器的线径及线数： 假设np使用0.32ψ的线 电流密度= 可绕圈数= 假设secondary使用0.35ψ的线 电流密度= 假设使用4p,则 电流密度= 可绕圈数= 决定dutyl cycle: 假设np=44t,ns=2t,vd=0.5（使用schottky diode） 决定ip值： 决定辅助电源的圈数： 假设辅助电源=12v na1=6.3圈 假设使用0.23ψ的线 可绕圈数= 若na1=6tx2p,则辅助电源=11.4v 决定mosfet及二次侧二极体的stress（应力）： mosfet（q1） =最高输入电压（380v）+ = =463.6v diode（d5）=输出电压（vo）+ x最高输入电压（380v）= =20.57v diode（d4）= = =41.4v 其它： 因为输出

剖析电脑关键元器件

时的反向恢复时间trr 短，因此，其特长是急速地变成 关闭的转移时间显着地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因 tt（转移时间）短， 所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 j、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。 被制作成为硅的扩散型或合金型。 是反向击穿特性曲线 急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称 齐纳电压）从 3v 左右到 150v，按每隔 10%，能划分成许多等级。 k、 雪崩二极管 （avalanche diode） 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的： 利用雪崩击穿对晶体注入载流子， 因载流子渡越晶片需要一定的时间， 所以其电流滞后于电 压， 出现延迟时间， 若适当地控制渡越时间， 那么， 在电流和电压关系上就会出现负阻效应， 从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 l、江崎二极管 （tunnel diode） 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。 其 p 型区的 n 型区是高掺杂的（即高浓度

Diodes新推ZXTR2000高压线性稳压器晶体管

　　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 为针对网络、电信和以太网供电 （Power over Ethernet,简称PoE） 设备内48V电路，推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。

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Diodes新增ZXTR2000高压线性稳压器晶体管

　　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 为针对网络、电信和以太网供电 （Power over Ethernet,简称PoE） 设备内48V电路，推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。

Diodes新推小体积高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列

　　Diodes公司 （Diodes Incorporated） 为针对网络、电信和以太网供电 （Power over Ethernet,简称PoE） 设备内48V电路，推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。

Diodes推出高功率因数升压LED驱动器

Diodes推出全新20V NPN及PNP双极晶体管

　　Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5 matrix emitter Bipolar process)。

泰科电子于第六届PCIM新品展示 尽现电子组件元老风采

开关损耗，增加了系统可靠性； ·可选的半控输入整流桥，从而可以有效进行瞬时电流控制和短路保护； ·模块内部完全隔离，经过ul认证； ·内部集成ntc电阻，低成本温度检测； ·基于flow 0封装的小型化，易安装的设计。 产品概括： 型号 电压 功率 (50 khz) 功率 (400 khz) 特点 v23990-p802-1)-pm 500 v 4.0 kw 1.6 kw coolmos + tandem diode v23990-p803-1)-pm 500 v 8.0 kw 3.2 kw coolmos + tandem diode v23990-p804-d-pm2) 500 v 8.0 kw highspeed igbt + tandem diode v23990-p800-1)-pm 500 v 7.8 kw 4.9 kw coolmos + sic diode 1) d30：标准整流桥产品

LED辞典

动化而生。初期厂商裹足不前，主要因素是表面粘着led最早面临的问题是无法完成高温红外线下焊锡回流的步骤。led的比热较ic低，温度升高时不仅会造成亮度下降，且超过摄氏100度时将加速组件的劣化。led封装时使用的树脂会吸收水分，这些水分子急速汽化时，会使原封装树脂产生裂缝，影响产品效益。在1990年初，hp和siemens component group合作开发长分子键聚合物，作为表面粘着型led配合取放机器的设计，表面粘着型led到此才算正式登场。 led light emitting diode。发光二极管。 led为通电时可发光的电子组件，是半导体材料制成的发光组件，材料使用iii- v族化学元素（如：磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)等），发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与电洞的结合，过剩的能量会以光的形式释出，达成发光的效果，属于冷性发光，寿命长达十万小时以上。led最大的特点在于：无须暖灯时间(idling time)、反应速度很快(约在10^-9秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产，具高可*度，容易配合应用上的需要制成极小或数组式的组

电子元件基础知识--二极管

，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3v左右到150v，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mw至100w以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻rz很小，一般为2cw型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2dw型。pin型二极管（pin diode） 这是在p区和n区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。pin中的i是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100mhz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把pin二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等

光电二极管的分类（二）

光电二极管" 英文通常称为 photo-diode 光电二极管和普通二极管一样，也是由一个pn结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但是，在电路中不是用它作整流元件，而是通过它把光信号转换成电信号。那么，它是怎样把光信号转换成电信号的呢？大家知道，普通二极管在反向电压作用在处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使pn结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压作用在工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度约大，反向电流也约大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依*pn结而工作的。与pn结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据pn结构造面的特点，把晶体二极管分类如下： 1、点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其pn结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较

晶体二极管的分类

）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。 10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3v左右到150v，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mw至100w以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻rz很小，一般为2cw型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2dw型。 11、pin型二极管（pin diode） 这是在p区和n区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。pin中的i是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100mhz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把pin二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅

Easy-Downloader V1.1 with SDCC

sily. figure 1: complete hardware schematic of easy-downloader v1.1 ( see errata below). easy1_3.pdfhardware the hardware has a bit change at rs232 level converter. now the circuit uses a popular rs232 level converter, max232. also i cut the bridge diode at the dc input, now i use only one diode to prevent wrong polarity of a given dc adapter. layout the pcb layout was made with orcad layout plus. the gerber file is available at download section below. here i like to show how nice it is. the top and

手工制作的MP3播放器电路及资料

550a 1 micronas audio d/a converter 5 q1 2sa1300 1 toshiba low saturation, high hfe ---- ----------- -------------- --- ---------- ---------------------------- 6 q2,q3,q4 rn1205 3 toshiba with built-in resisters 7 d1 1gwj42 1 toshiba typical shottky diode 8 d2,d3,d4 1ss319 3 toshiba typical swiching diode 9 d5 nspg320bs 1 nichia super high bright 10 y1 cst6.00mgw 1 murata ceramic resonator w/caps ---- ----------- -------------- --- ---------- ---------------------------- 11 y2 14.725mhz 1 crystal res

变压器供电的简单电路介绍

便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流）。变压器由铁芯（或磁芯）和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。 变压器原理： 变压器的工作原理 变压器利用电磁感应原理，从一个电路向另一个电路传递电能或传输信号的一种电器，输送的电能的多少由用电器的功率决定。 元件bom表： c1 0.39uf 250v capacitor c2 220uf 25v electrolytic capacitor d1 1n4741 11v zener diode （see notes） br1 1 amp 200v bridge rectifier misc line cord, board, wire, case 来源:朦烟

晶体管、二极管和集成电路符号

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100ghz以上。 二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 集成电路（integrated circuit,港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所

汽车LED电池电路

led（light emitting diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。led的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个"p-n结".当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向p区，在p区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是led发光的原理。而光的波长决定光的颜色，是由形成p-n结材料决定的。 该电路是一个比较器，可以测量的1volt. 来源:朦烟

keven_lee那篇电流镜E文的翻译，老外说话就是通俗浅显

t a constant value. 我们已经看到有源晶体管的恒定的基极电流是如何以系数β控制集电极电流的。系数α的作用与之类似：如果发射极电流保持恒定，只要集电极－发射极电压足以使其保持在放大区，集电极电流也将稳定保持。于是，只要我们能让晶体管的发射极电流保持恒定，它就能保持发射极电流为恒定值。［4］remember that the base-emitter junction of a bjt is nothing more than a pn junction, just like a diode, and that the "diode equation" specifies how much current will go through a pn junction given forward voltage drop and junction temperature: 其实，bjt的发射结不过是个pn结，就如同二极管。因此流过pn结的电流与其正向压降的关系也符合“二极管方程”：［5］if both junction voltage and temperature

PHILIPS 超牛逼PCF二级管 Trr<19ns

免大功率损耗及emi（电磁干扰），必须谨慎地选择它。 phliips公司推出超快软恢复二极管解决了这个问题，这种新型二极管的推出使pfc电路的性能大大改善了。 结束语 在离线式开关电源的连续电流模式pfc升压电路中，采用philips公司的600v超块软恢复二极管，配合相应的功率管mosfet使用，可以得到较高的pfc效率，减小了超过30%功率损耗，并降低了emi而使电路的可靠性得到提高，同时减少了系统成本，使其应用得到有效的推广。 快恢复二极管 byc8-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8a/600v to220 byc8x-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8a/600v to220塑封 byc10-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,10a/600v to220 byv10x-500 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,10a/500v 塑封 byv29x-600 : rectifie

新型600V超快软恢复的PFC二极管

免大功率损耗及emi（电磁干扰），必须谨慎地选择它。 phliips公司推出超快软恢复二极管解决了这个问题，这种新型二极管的推出使pfc电路的性能大大改善了。 结束语 在离线式开关电源的连续电流模式pfc升压电路中，采用philips公司的600v超块软恢复二极管，配合相应的功率管mosfet使用，可以得到较高的pfc效率，减小了超过30%功率损耗，并降低了emi而使电路的可靠性得到提高，同时减少了系统成本，使其应用得到有效的推广。 快恢复二极管 byc8-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8a/600v to220 byc8x-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,8a/600v to220塑封 byc10-600 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,10a/600v to220 byv10x-500 : rectifier diode ultrafast, 超快恢复19ns,10a/500v 塑封 byv29x-600 : rectifie

请问常用的贴片npn三极管有何型号？

on sil siliconix itt itt semiconductors mot motorola nat national semiconductor roh rohm tem temic semiconductorscode devide manuf. pinout equivalent/info005 sstpad5 sil j pad-5 5pa leakage diode010 sstpad10 sil j pad-10 10pa leakage diode011 so2369r sgs r 2n236902 bst82 phi m n ch mosfet 80v 175ma020 sstpad20 sil j pad-20 20pa leakage diode050 sstpad50

bandgap启动电路如何设计？

bandgap启动电路如何设计？下面这个bandgap电路，有没有合适的启动电路。资料中是通过启动电路降低p1,p2,p3的栅提供一个启动电流，可是没有提供触发启动电路的部分电路。分析可以得知：如果监测触发点太高，那么可能正常工作电流还在启动，造成不正常工作。如果监测触发点太低，那么可能此时电流较小，diode没有导通，电流全部流过电阻，这个电路简化为一个总是处于稳态的电路，造成不能启动。再加上器件的误差和失调，小电流激励（diode导通不够），也可能进入错误稳定状态。通常的bandgap没有两边的电阻，对于很小激励电流（10na)，两个diode的电压差就达到了vtln(n)，使电路启动。这个特殊的bandgap，对于较小激励电流（0.8*vbe/r1),diode不导通，两个节点电压差为零！造成不能启动。我觉得应该有更大电流通过，通过diode的不平衡造成两个节点出现电压差而启动电路。为了克服失调，假设设置使两个节点出现10mv电压差的电流作为可以自己启动的下限，设置正常工作的电流为上限。我简单估计了一下，正常工作电流24ua，启动下限10ua。也就是要做一个在10~24ua的电流监测电路，