维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

关于MOS的dummy问题

最近碰到cmos的dummy问题 特想请教一下各位的意见 我是觉得 dummy mos 必须要和被保护的 mos 管是同一个方向的即：s---d 方向 和 gate 方向 分别相同 这就牵涉到 designer 必须规定好 dummy mos 的尺寸 就是说：l(mos)=l(dummy),w不等 ，dummy mos的w可以取design rule 中的最小size 如果在另一个方向上保护 则；w(mos)=w(dummy),l不等，dummy mos 的l可以取desing rule 中的最小size 具体想法不是很完善 故向各位请教spring 的处男作品 不要见笑 多多批评 指教 来源:零八我的爱

([\u@\h \W]\# )在移植根文件系统时的处理方法

lign=32, order=0-3, minobjects=0, cpus=1, nodes=1 hierarchical rcu implementation. rcu-based detection of stalled cpus is disabled. verbose stalled-cpus detection is disabled. nr_irqs:85 irq: clearing subpending status 00000002 console: colour dummy device 80x30 console [ttysac0] enabled calibrating delay loop… 201.93 bogomips （lpj=504832） pid_max: default: 32768 minimum: 301 mount-cache hash table entries: 512 cpu: testing write buffer coherency: ok net: registered protocol family 16 mi

基于MC68HC908GP32的μC/OS-II移植

*/ #else /* stack_direction == 0; need run-time code. */ static int stack_dir; /* 1 or -1 once known. */ #define stack_dir stack_dir static void find_stack_direction （） { static char *addr = null; /* address of first `dummy', once known. */ auto char dummy; /* to get stack address. */ if （addr == null） { /* initial entry. */ addr = address_function （dummy）； find_stack_direction （）； /* recurse once. */ } else { /* second en

layout布局经验总结

要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。21为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置），21中心匹配最佳。 30 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳. 31 关于powermos ① powermos一般接pin，要用足够宽的金属线接，最好把整个powermos覆盖 ② 几种缩小面积的画法。 32 金属层dummy要和金属走向一致，即如果m2横走，m2的dummy也是横走向 33 低层cell的pin,label等要整齐.不要删掉以备后用. 出错检查: 34 device的各端是否都有连线；连线是否正确； 35 完成布局检查时要查看每个接线的地方是否都有连线，特别注意vssx，vddx 36 查线时用shots将线高亮显示，便于找出可以合并或是缩短距离的金属线。 37 多个电阻（大于两根）打上dummy。保证每根电阻在光刻时所处的环境一样，最外面的电阻的npim

飞思卡尔通过Cadence基于模型的物理和电气DFM解决方案

种透明的中间工艺节点(half-node)设计流程，支持tsmc的40纳米工艺技术。这包括支持40纳米布局与绕线规则、一个全面的可测试型(design-for-test) 设计流程、结合成品率考量的漏电功耗和时序的计算、增强的基于统计学的si时序分析、层次化的lithographic physical分析、时序与漏电分析、层次化和并行的临界域分析和优化、基于cmp考量的rc抽取、clock buffer placement的优化、 multi-mode multi-corner分析、以及层次化的dummy metal fill。 cadence对tsmc参考流程9.0版的支持为40纳米工艺技术提供了高级dfm、功耗、布线与模拟功能。该硅相关型技术包括： 1 用于物理实现的时序、lef、cap libraries和综合的临界区域分析，使用cadence soc encounter? rtl-to-gdsii 系统，包含rtl compiler与encounter timing system。 2 tsmc 认可的布线可印刷性检查(layout printability ch

关于MOS的dummy问题

最近碰到CMOS的dummy问题 特想请教一下各位的意见 我是觉得 dummy MOS 必须要和被保护的 MOS 管是同一个方向的 即：S---D 方向 和 GATE 方... PCB线路设计及制前作业 子上的导线，在指定的情况下能够连续通过最大的电流强度(安培)，而尚不致引起电路板在电性及机械性质上的劣化 (degradation)，此最大电流的安培数，即为该线路的“载流能力”。 23、datum reference 基准参考 在 pcb 制造及检验的过程中，为了能将底片图形在板面上得以正确定位起见,特选定某一点、线,或孔面做为其图形的基准参考，称为 datum point，datum line，或称 datum level(plane)，亦称 datum hole。 24、dummy land 假焊垫 组装时为了牵就既有零件的高度，某些零件肚子下的板面需加以垫高，使点胶能拥有更好的接着力，一般可利用电路板的蚀刻技术，刻意在该处留下不接脚不通电而只做垫高用的“假铜垫”，谓之 dummy land。不过有时板面上因设计不良，会出现大面积无铜层的底材面，分布着少许的通孔或线路。为了避免该等独立导体在镀铜时过度的电流集中，而发生各种缺失起见，也可增加一些无功能的假垫或假线，在电镀时分摊掉一些电流，让少许独立导体的电流密度不至太高，这些铜面亦称为 dummy conductors。 Cadence多种领先技术纳入TSMC参考流程9.0版本 种透明的中间工艺节点(half-node)设计流程，支持tsmc的40纳米工艺技术。这包括支持40纳米布局与绕线规则、一个全面的可测试型(design-for-test) 设计流程、结合成品率考量的漏电功耗和时序的计算、增强的基于统计学的si时序分析、层次化的lithographic physical分析、时序与漏电分析、层次化和并行的临界域分析和优化、基于cmp考量的rc抽取、clock buffer placement的优化、 multi-mode multi-corner分析、以及层次化的dummy metal fill。 cadence对tsmc参考流程9.0版的支持为40纳米工艺技术提供了高级dfm、功耗、布线与模拟功能。该硅相关型技术包括： 1用于物理实现的时序、lef、cap libraries和综合的临界区域分析，使用cadence soc encounter™ rtl-to-gdsii 系统，包含rtl compiler与encounter timing system。 2tsmc 认可的布线可印刷性检查(layout printability che Cadence发布Cadence设计技术与流程 决策，确保封装阶段的最佳性能与功耗trade-off。由于dfm设计解决方案整合到设计实现工具中，设计人员能够高枕无忧地完成自己的模块或芯片级设计，达成量产时间的目标。 针对低功耗、先进工艺与混合信号设计的全新功能 cadence公司也在此次与tsmc的合作中，为低功耗、先进工艺与混合信号设计提供更多的支持。在低功耗领域中，这个流程以common power format (cpf)为基础，支持功率状态确认与ip 库查看。在先进工艺领域中，以tsmc公司ilpc进行修复光刻热点，以及dummy metal/via插入的修补方式，解决热点的问题，并能将症结反馈至自动化布局与绕线工具的单独gds应用。在系统级封装 (sip) 混合信号设计方面，有sip 晶粒/封装布局规划、混合信号ir降与高级sip静态时序分析等封装支持。这些崭新的设计参考流程元素，从系统级到签核(signoff)为设计团队提供更高能见度与可预测性，协助在功耗、性能与设计尺寸的平衡挑战下进行最佳化，并实现最高设计良品率。 “我们的客户希望能够提高生产力，才能够跟上不断提高的设计复杂性，并且满足紧迫的上市时间要求。” CADENCE公布新的RF技术简化纳米级无线设备芯片的设计 够轻易掌握无源元件的设计，迅速开发出复杂的无线soc和rfic。virtuoso passive component designer从感应系数、q值和频率等设计规范开始，帮助设计师为他们的特定应用和工艺技术自动生成最适宜的感应器件，实现更高的性能和更小的面积。内置的精确3d全波解算器用于检验生成的器件，不再需要专门的电感特征化，并减少了设计周转时间。 virtuoso passive component designer是为90和65纳米工艺节点而优化的，支持高级设计规则和cmp约束，如dummy金属填料和打孔。除了支持多种形状的电感和变压器尺寸，设计团队还可以自己定制工艺尺寸或使用参数化单元或pcell直观形象地或手动地进行调整。 “电感和变压器是我们高频集成电路中的至关重要的元件。他们对于芯片面积和性能有着极大的影响，”renesas technology公司设计技术部总经理hisaharu miwa说。“我们的目标是在初期设计阶段就考虑到电感和变压器的影响，从而提高设计效率。我们使用virtuoso passive component designer是因为它能够解决这些问题 瑞萨开发出尺寸削减至裸片大小的封装技术 19日，瑞萨电子宣布面向微控制器产品开发出了尺寸可削减至裸片大小的封装技术“fo-wlp”。采用fo-wlp的微控制器预定2011年底开始样品供货。据瑞萨介绍，利用该技术，可将裸片尺寸为1.6mm×1.6mm的 8bit微控制器的封装体积由原来的3mm×3mm×0.7mm，削减至2mm×2mm×0.3mm，缩减了80％。 新封装技术的特点是将利用晶圆工艺形成的布线层作为封装底板使用。首先在起支持体作用的挡片（dummy wafer）上形成布线层和凸点，然后在上面连接微控制器芯片。之后，利用树脂封装整个挡片后，去除晶圆，切割成单片。其中采用了瑞萨电子的芯片积层封装技术“smafti”中的核心技术。 由于去掉了普通的封装底板使用的内核层，所以可缩小封装尺寸。另外，封装底板采用晶圆工艺形成，因此可提高密度，还能缩小封装面积。作为封装底板的布线层是采用聚酰亚胺和铜形成的双层金属布线，最小线宽和线间距分别为15μm和10μm，层间过孔尺寸为20μm。 实现这一尺寸的关键技术大致有三项。（1）在挡片的布线层上形成铜柱凸点的技术；（2）把在板上实施了无电解镀膜处理的微控制器芯片高速连接到 6瓦FM功率放大器电路（英文） he shield braid on the coax cables. bolt q1 to a small heat sink or the chassis with heat sink thermal compound or gray thermal pad underneath the tab. with an input level of 200-500mw, you should see an output of 5-6 watts. be sure to have a proper dummy load (50 ohms) or tuned antenna connected to the output, doing otherwise will likely destroy the transistor. parts list quantitydescriptionpart number(s)2470 pf mica capacitorc1, c5175 pf mica capacitorc2139 pf mica capacitorc3112 pf mica capacitorc 基于FPGA的线阵CCD驱动器设计 本toshiba公司的tcdl208ap型电路作为传感器。该器件具有优良的光电特性，有2 160个像元，其驱动信号的时序如图l所示。 由tcdl208ap的时序图可以看出，tcdl208ap采用二相驱动脉冲工作，时序脉冲驱动电路提供4路工作脉冲，即光积分脉冲sh，电荷转移脉冲φ1、φ2，输出复位脉冲rs。系统提供的主时钟频率clk为4 mhz，设定数据输出频率为1 mhz。tcdl208ap的典型最佳工作频率为l mhz，该器件具有2160位有效像元，正常工作时要有52个虚设单元输出(dummy 0utputs)信号(含暗电流信号)。因为该器件是二列并行传输，所以在一个周期内至少要有1 106(2 212/2=1 106)个φ1脉冲，即tsh>1106tφ1。另外，由时序图可以看出，当sh信号为高电平期间，ccd积累的信号电荷包通过转移栅进入移位寄存器，移位脉冲φ1、φ2要求保持一个高和低的电平状态。 3 fpga器件的选择 根据设计要求和工程需要，本设计选用altera公司cyclone系列产品中的eplcl2q240c8型嵌入式可编程逻辑器件。eplcl2q2 zw：IC layout布局经验总结 的g/s接vss,d接pad.p/n管起二极管的作用.45 摆放esd时nmos摆在最外缘,pmos在内46 关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置）21中心匹配最佳。47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.中国电子顶级开发网4o f48 在匹配电路的mos管左右画上dummy.html">dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy.html">dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距.49 电阻的匹配，例如1，2两电阻需要匹配，仍是1221等方法。电阻dummy.html">dummy两头接地50 via不要打在电阻体,电容(poly)边缘上面.51 05工艺中resistor层只是做检查用中国电子顶级开发网 52 电阻连线处孔越多,各个via孔的电阻是并联关系,孔形成的电阻变小.53 电阻的dummy. ST7 中断子程序中断矢量地址DE定义 st7 中断子程序中断矢量地址de定义；************************************************************;中断子程序.dummy iret.spi_ir iret;中断矢量地址segment 'vector'dc.w dummy ffe0~ffe1h locationdc.w dummy ; ffe2~ffe3h location.spi_it dc.w spi_ir ; ffe4~ffe5h location ; ffee~ffefh location dc.w dummy ; fff0~fff1h location.ext1_it dc.w dummy ; fff2~fff3h location.ext0_it dc.w dummy tlc3548for msp430程序小弟看不懂，那位仁兄能帮忙 .b #samples.html">samples, r10 ; load # of samples.html">samples in r10mov #00, r8 ; clear r8sampleloopbic.b #cs,&p3out ; enable tlc3544/48bis.b #01h,&p1out ; set a test.html">test bit – bit is cleared in isrread_adcmov.b #ch0,&u0txbuf ; dummy.html">dummy write to spi (generates sclk)call #clearmov.b &u0rxbuf,adc_data(r8) ; store upper byteinc r8 ; increment data storage pointermov.b #dummy,&u0txbuf ; dummy.html">dummy write to spi (generates sclk)call #clearmov.b &u0rxbuf,adc 再发经典：layout的经验总结 摆放esd时nmos摆在最外缘,pmos在内.46 关于匹配电路，放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。 匹配分为横向，纵向，和中心匹配。1221为纵向匹配，12为中心匹配（把上方1转到下方1时，上方2也达到下方2位置） 21中心匹配最佳。47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳.48 在匹配电路的mos管左右画上dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距.49 电阻的匹配，例如1，2两电阻需要匹配，仍是1221等方法。电阻dummy两头接地vssx。50 via不要打在电阻体,电容(poly)边缘上面.51 05工艺中resistor层只是做检查用52 电阻连线处孔越多,各个via孔的电阻是并联关系,孔形成的电阻变小.53 电阻的dummy是保证处于边缘 st7 程序中出现其他中断,它对应的地址在这里如何定义 中断子程序中断矢量地址de定义；***************************************************************.spi_it dc.w spi_ir ; ffe4~ffe5h location …… ; ffee~ffefh location dc.w dummy ; fff0~fff1h location.ext1_it dc.w dummy ; fff2~fff3h location.ext0_it dc.w dummy ; fff4~fff5h location.soft_it dc.w dummy ; fff6~fff7h location.reset dc.w dummy ; fff8~fff9h location；******************* dummy替代型号 DUMMIES DUMB DTVS888 DTT1C20A DTT1C08A DTI2251 DTGS-800 DTD123EKT146 DTC144EM3T5G DTC144EET1 DUMMY. DUMY DV007004 DV102011 DV164007 DV164035 DV164120 DV164121 DV164122 DV164126 相关搜索： IC 非IC PDF 技术资料 电子资讯 dummy相关热门型号 DMG6402LDM-7 DMP3056LSS-13 DS14C238WM DDZ9694-7 DS90C124QVS DS14C89AMX DS26LS31CM DMN601WK-7-85 DG441DY DMP2305U-7 快速导航 优质现货 PDF下载 价格行情 技术文章 代替型号 发布求购 我要上传PDF * 型号 *PDF文件 选择文件… *厂商 描述 验证 按住滑块，拖拽到最右边 ©2024 维库电子市场网（www.dzsc.com）　备案号：浙B2-20050339-1 经营许可证：浙B2-20210386版权声明 买家服务热线：0571-85317607 | 买家服务部QQ： 卖家服务热线：0571-85317607 | 卖家服务部QQ： 上传BOM文件： 上传 BOM文件 *公司名： *联系人： *手机号码： QQ： 应用领域： 消费电子 工业控制 汽车电子 LED 能源控制 智能安防 家用电器 智能物联 医疗电子 通讯网络 其他 有效期： OEM清单文件： 上传 OEM清单文件 *公司名： *联系人： *手机号码： QQ： 有效期： 扫码下载APP， 一键连接广大的电子世界。 在线人工客服 买家服务： 卖家服务： 0571-85317607 客服在线时间周一至周五 9:00-17:30 关注官方微信号， 第一时间获取资讯。 建议反馈 返回顶部 建议反馈 联系人： 联系方式： 按住滑块，拖拽到最右边 >> 感谢您向阿库提出的宝贵意见，您的参与是维库提升服务的动力！意见一经采纳，将有感恩红包奉上哦！