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FCH47N60 600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD FCH47N60PDF下载
FCH47N60 600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] FCH47N60PDF下载
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FCH47N60N Fairchild FCH47N60NPDF下载
FCH47N60_06 new generation of high voltage MOSFE... FAIRCHILD FCH47N60_06PDF下载
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FCH47N60_07 600V N-Channel MOSFET FAIRCHILD FCH47N60_07PDF下载
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FCH47N60_F085 MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 FCH47N60_F085PDF下载

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历史最低报价：￥6.0000 历史最高报价：￥35.0000 历史平均报价：￥17.0000

型号厂家封装批号数量日期价格
FCH47N60 FAIRCHILD TO-247/TO-3P/TO-3PF 07+ 2000 2011/3/21 17:02:46 6.0000/pcs
FCH47N60 FAIRCHILD SOT25 10+ 20000 2011/3/22 11:14:25 10.0000/pcs
FCH47N60 FAIRCHIL TO-247 08+ 2200 2011/3/21 17:07:42 16.0000/pcs
FCH47N60 FAIRCHIL TO-247 08+ 600 2010/8/31 13:41:39 18.0000/pcs
FCH47N60 FSC 10+ 10000 2011/3/21 17:49:46 35.0000/pcs

电动汽车车载智能快速充电器的研究与设计
艺采用原副边交叉绕（两段式全包），可实现变压器的紧密耦合，减小漏感。 2.2.3 半桥变换器功率管的选择设计中，采用半桥式拓扑，开关管q1 和q2上的电压即为变换器的输入电压，有下式成立：二极管d2 和d6 上的电压为：整流二极管d3 和d5 上的电压为：流过开关管的最大电流值为：式中： io 为负载电流； l f 为变压器原边漏感。图4半桥变换器驱动波形的产生示意图由以上计算分析，功率管q1 和q2 选择型号为fch47n60的mos管，可承受600v 的电压和47a的电流，整流二极管选择型号为mrb40250的肖特基管，其正向平均电流为40a, 反向耐压最大为250v. 2.2.4 吸收回路及滤波回路的设计为解决关断时器件的过压问题，在图3 中由d1, r1, c4 组成rcd 缓冲器，通过减缓q1 漏源极电压的上升速度使下降的电流波形同上升的电压波形之间的重叠尽量小，以达到减小开关管损耗的目的。同理由d4, r4, c8 对q2 的关断过程进行保护。在输出整流二极管之后