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FCP16N60N FCP16N60 FC 1000 2011/11/28 11:28:55 0.9500/pcs
FCP16N60N FCP16N60 FC 2011/12/9 17:46:52 0.9800/pcs
FCP16N60N FSC TO220 10+ 8000 2011/11/23 15:18:21 1.8000/pcs
FCP16N60N FAIRCHILD 原厂原封装 12+ 2200 2014/3/20 15:19:15 3.2000/pcs
FCP16N60N FSC N/A 2011+ 3000 2014/3/15 9:56:50 5.2800/pcs
FCP16N60N 13+ 12000 2014/3/15 10:01:30 5.8000/pcs
FCP16N60N FSC TO220 10+ 500 2011/11/21 14:22:36 6.0000/pcs
FCP16N60N FSC 12+ 4000 2014/3/17 9:30:15 9.5000/pcs
FCP16N60N Fairchild Semiconductor Corporation 原厂封装！ 13+ 8800 2014/3/17 9:16:18 23.0000/pcs
FCP16N60N FAIRCHILD TO220 10+ 500 2011/11/21 16:38:38 23.0000/pcs

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相关资讯

标准包装:
400
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
SupreMOS™
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
199 毫欧 @ 8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
52.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2170pF @ 100V
功率 - 最大:
134.4W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220-3
包装:
管件

飞兆推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来supremos新一代600v超级结mosfet系列产品。包括具有165mω最大阻抗的 fcp22n60n、fcpf22n60nt 和 fca22n60n，以及具有199mω最大阻抗的fcp16n60n和fcpf16n60nt。supremos系列器件兼具低rds (on) 和低总栅极电荷，相比飞兆半导体的600v superfet mosfet，品质因数(figure of merit, fom，即 rds (on) × qgd )降低了40%。supremos器件具有业界最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt，可以提高开关电源(smps)中谐振转换器、llc和移相(phase-shifted)全桥拓扑的可靠性。相比superfet mosfet器件，supremos600v超级结mosfet在相同rds(on)下提供了更低的栅级电荷，并且具有出色的开关性能，能够将开关和传导损耗减少20%，从而提高效率。另外，supremos器件具有较低的输入和输出电容，能够提高轻负载条件下的

FCP22N60N FCPF11N60F FCPF16N60NT FCPF22N60NT FCW301Z fd100 FD110 FD501 FD502 FD700

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

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