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当前位置：维库电子市场网>IC>fdfma2p029z 更新时间:2024-04-25 23:56:00

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历史最低报价：￥1.0000 历史最高报价：￥3.0000 历史平均报价：￥2.2016

fdfma2p029z中文资料

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

    能提高其低压应用的热性能和电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrenchmosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压(vgs)提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。. 供货:现货 交货期:收到订单后12周内 来源:小草

  • Fairchild推出MLP封装小外形低功耗应用MicroFET产品

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  • 飞兆推7款全新MicroFET 面向30V和20V应用

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  • 飞兆半导体推出7款MLP封装MicroFET产品

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  • 飞兆半导体的MLP封装MicroFET产品在小外形尺寸中提供出色的功耗特性

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  • 飞兆发布7款全新MicroFET，面向30V和20V应用

    电气性能，并同时节省线路板空间。” 在这些新microfet产品中，fdma1023pz、fdma520pz、fdma530pz和fdma1025p分别具备不同的配置，集成了单及双p沟道powertrench mosfet与esd保护齐纳二极管。为了获得额外的系统性能，fdma1023pz更可保证以低至1.5v的栅极电压 (vgs) 提供低额定导通阻抗rds(on)。这几款器件尤其适合充电和负载开关应用。 另外三款产品集成了n或p沟道mosfet和肖特基二极管。当中，fdfma2p029z和fdfma2p857集成了p沟道mosfet和肖特基二极管，并经优化以提升前向电压(vf)和反向泄漏电流(ir)，能将效率提升至最高。这两款器件适用于降低热阻抗至关重要的充电应用。第三款器件fdfma2n028z采用n沟道mosfet和肖特基二极管组合，这种配置非常适合于升压应用。 这些产品采用无铅封装，能够满足甚至超越icp/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。 供货：现货 交货期：收到订单后12周内

fdfma2p029z替代型号

FDFMA2N028Z FDD8880 FDD8424H FDD6696 FDD6682 FDD6035AL FDD4141 FDC636P FDC633N FDC6321C

FDFMA2P853 FDFMA2P853T FDFMA2P857 FDFMA2P859T FDFME3N311ZT FDFMJ2P023Z FDG6303N FDG901D FDH333 FDH44N50

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