FDFMJ2P023Z
9000
6WFDFN/22+
原厂渠道,现货配单
FDFMJ2P023Z
50000
MOSFET PCH 20V 2.9A 6MLP/2020+
原装现货配单
FDFMJ2P023Z
30000
SC75MicroFET/23+
全新原装,假一罚十
FDFMJ2P023Z
3650
6MLP/24+
假一罚十,原装现货,支持含税
FDFMJ2P023Z
25000
6MLP/22+
只有原装原装,支持BOM配单
FDFMJ2P023Z
6000
6MLP/21+
是终端可以免费供样,支持BOM配单
FDFMJ2P023Z
9900
6WFDFN/23+
只做原装,提供配单服务,QQ281559972
FDFMJ2P023Z
12100
SC75(MicroFET)/23+
主营ON,原厂代理,保证
FDFMJ2P023Z
9000
6WFDFN/23+
原厂渠道,现货配单
FDFMJ2P023Z
9000
6WFDFN/23+
原厂渠道,现货配单
FDFMJ2P023Z
9000
6WFDFN/22+
原厂渠道,现货配单
FDFMJ2P023Z
25000
6MLP/22+
只有原装原装,支持BOM配单
FDFMJ2P023Z
9000
6WFDFN/23+
原厂渠道,现货配单
FDFMJ2P023Z
9000
6WFDFN/22+
原厂渠道,现货配单
FDFMJ2P023Z
8620
MicroFET/09+
原装,公司现货
FDFMJ2P023Z
15000
SC75MicroFET/21+
一级代理 现货在库
FDFMJ2P023Z
9000
6WFDFN/23+
原厂渠道,现货配单
FDFMJ2P023Z
10980
-/-
20年配单 只求现货匹配
FDFMJ2P023Z
8913
6WFDFN/23+
柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术,封装为2.0mm×1.6mm sc-75,较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 500){this.width=500}" border=0> 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p0
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术,封装为2.0mm×1.6mm sc-75,较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 500){this.width=500}" border=0> 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench® 技术,封装为2.0mm x 1.6mm sc-75,较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: - 节省空间
飞兆半导体推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench® 技术,封装为2.0mm x 1.6mm sc-75,较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: 节省空间,因为这些microfet开关较采用sc-70封装
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66%的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术,封装为2.0mm×1.6mm sc-75,较3×3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65%和20%。 这些2.0mm×1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm×3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdf
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗(<30v)应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75%的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench技术,封装为2.0mm x 1.6mm sc-75,较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: ·节省空间,因为这些mi
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench 技术,封装为2.0mm x 1.6mm sc-75,较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: -节省空间,因为这些micr
飞兆半导体推出microfet功率开关产品fdmj1023pz和fdfmj2p023z,适用于充电、异步dc/dc和负载开关等低功耗 (<30v) 应用。这些功率开关可在低至1.5v的栅级驱动电压下工作,同时提供较之于其它解决方案降低75% 的rds(on)和降低66% 的热阻。fdmj1023pz和fdfmj2p023z采用飞兆半导体先进的powertrench® 技术,封装为2.0mm x 1.6mm sc-75,较3 x 3mm ssot-6封装及sc-70封装体积分别减小65% 和20%。 这些2.0mm x 1.6mm microfet功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm x 3mm ssot-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供最佳的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的pcb空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5v栅极驱动电压下运作的特性。 fdmj1023p和fdfmj2p023z的主要特性包括: 节省空间,因为这些microfet开关较采用sc-70封装的功
据日经bp社报道,美国飞兆半导体(fairchild semiconductor)推出了封装尺寸仅为2.0mm×1.6mm的功率开关“fdmj1023pz”以及“fdfmj2p023z”。适用于手机、数码相机及便携式游戏机之类小型设备的充电电路以及dc-dc转换器等。 新产品采用相当于sc-75的封装,外形尺寸为2.0mm×1.6mm。比3mm×3mm的ssot-6封装小了65%,比sc-70封装小了20%。当栅极驱动电压为1.5v。源-漏极间电压为-2.5v时,导通电阻为160mω,比以前产品降低了约75%。热阻抗为89℃/w,比以前产品降低了66%。 价格方面,批量购买1000件时,fdmj1023pz为0.51美元,fdfmj2p023z为0.48美元。