12454
TO220FPAC/1J26DX
公司现货库存,可开增值税。
FFPF08S60SN
50000
TO220F2/2024+
固电半导体,33年国产工厂,可替代进口
FFPF08S60STU
10000
-/22+
智其伟业-原装 价优 可含税
FFPF08S60S
6587
TO220F2/2201+
原装现货,全新渠道优势专营进口品牌
FFPF08S60STU
9000
TO220F2/22+
原装现货,有挂就有货
FFPF08S60S
3281
NA//23+
原装现货,当天可交货,原型号开票
FFPF08S60S
6500
TO220F/23+
只做原装现货
FFPF08S60S
20000
DO214AC(SMA)/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
FFPF08S60S
20000
TO220F2/24+
QCW/群川微完美代用进口质量国产价格
FFPF08S60S
138000
TO220F/21+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
FFPF08S60S
31500
TO220/24+
只做原装,提供一站式配单服务
FFPF08S60S
6500
TO220F/23+
只做原装现货
FFPF08S60S
154836
TO220F/22+
终端可以免费供样,支持BOM配单
FFPF08S60S
22358
TO220F/22+
房间现货,价格优势。
FFPF08S60S
11758
TO220F/22+
全新原装现货热卖
FFPF08S60S
20055
TO2202/1907+
原包装正品现货库存-正规渠道原包装
FFPF08S60S
5690
TO220F/21+
全新原装现货 物美价廉.
FFPF08S60S
10090
TO220F2/13+
只做原装,也只有原装
FFPF08S60S
80000
-/23+
原装现货
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v),有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth™ ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。 同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技术系列相结合,并
飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet 及 superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta > 1.3)和极短的反向恢复时间(trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间(trr < 35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新stealth ii和hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间(trr<35ns @ 600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v),有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii和hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfet mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi