FGA20N120FTDTU
18000
TO3P/-
原装进口
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10000
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智其伟业-原装 价优 可含税
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只做原装现货
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奥利腾只做原装正品，实单价优可谈
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原装正品热卖，价格优势
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原装现货，提供优质服务
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只做原装现货
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只做原装假一罚十
FGA20N120FTD
Fairchild
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飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd和fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop(场截止)结构和抗雪崩的trench gate(沟道栅)技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(zvs)技术而优化的快速恢复二极管(frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd和fga15n120ftd的主要特性包括
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(zvs)技术而优化的快速恢复二极管(frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n120f
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor) 推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8% 的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关 (zvs) 技术而优化的快速恢复二极管 (frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor) 推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8% 的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关 (zvs) 技术而优化的快速恢复二极管 (frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n1
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor) 推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8% 的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关 (zvs) 技术而优化的快速恢复二极管 (frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n1
飞兆半导体公司(fairchild semiconductor)推出全新1200v field stop trench igbt系列器件fga20n120ftd 和 fga15n120ftd，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些igbt同时采用field stop (场截止) 结构和抗雪崩的trench gate (沟道栅) 技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的npt-trench igbt器件相比，fga20n120ftd可减小25% 的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(zvs)技术而优化的快速恢复二极管(frd)，进一步提高了可靠性。 飞兆半导体的fga20n120ftd和 fga15n120ftd一致的参数参数分布已经增强的抗雪崩击穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效。这正是利用飞兆半导体创新的field stop结构和专有的先进trench gate单元设计的成果。 fga20n120ftd 和 fga15n120f
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