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fm1808价格行情

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历史最低报价:¥18.5000 历史最高报价:¥28.0000 历史平均报价:¥23.2500

fm1808中文资料

  • 铁电存储器在验光仪数据存储系统中的应用

    存储器fram的出现为以上问题的解决提供了一个很好的方案。 铁电存储器(fram)是美国ramtron公司推出的一款掉电数据不丢失的存储器,它结合了高性能和低功耗操作,能在没有电源的情况下保存数据。 fram不仅克服了eeprom和flash写入时间长、写入次数有限的缺点,又避免了增加备用电池,做到了快速、可靠的数据掉电保存。fram铁电存储器因其掉电不丢失、读写速度快、无限次读写、可靠性高等优点,逐步成为一种主流存储器,广泛应用在仪器仪表、工业控制、数字家电和通信产品等方面。 1 fm1808铁电存储器简介 fm1808是由ramtron公司推出的一款存储容量为32k×8位的并行接口fram。其主要特点有:采用64k×8位的存储结构;低电压,使用2.7~3.6 v电源供电;无限次读写;掉电数据保存1o年;读写速度快,内存访问速度可达70 ns;先进的高可靠性铁电存储方式;低功耗,小于20μa的静态工作电流,读写操作的功耗相同。 2 fm1808存储器读写操作 fm1808通过并行口与外部处理器进行接口,其操作虽然与sram十分类似,但在使用过程中应注意它们之间的细微

  • MCS196系列单片机分类与选型指南

    摘要:介绍铁电存储器(fram)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将fram与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。最后以fm1808为例说明并行fpga与8051系列单片机的实际接口,着重分析与使用一般sram的不同之处。 关键词:铁电存储器 fram原理 8051 存储技术 1 背景 铁电存储技术最在1921年提出,直到1993年美国ramtron国际公司成功开发出第一个4kb的铁电存储器fram产品,目前所有的fram产品均由ramtron公司制造或授权。最近几年,fram又有新的发展,采用了0.35μm工艺,推出了3v产品,开发出“单管单容”存储单元的fram,最大密度可在256kb。 2 fram原理 fram利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此fram保

  • 铁电存储器原理及应用

    那些密度和价格比速度更重要的场合。例如dram是图形显示存储器的最佳选择,有大量的像素需要存储,而恢复时间并不是很重要。如果不需要下次开机时保存上次内容,使用易失性的dram存储器就可以。dram的作用与成本是fram无法比拟的,事实证明,dram不是fram所能取代的。4.fram与flash现在最常用的程序存储器是flash,它使用十分方便而且越来越便宜。程序存储器必须是非易失性的并且要相对低廉,且比较容易改写,而使用fram会受访问次数的限制。fram与单片机接口下面介绍并行fram --fm1808与8051/52的实际应用。预充电信号的产生在大多数的8051系统中,对存储器的片选信号 通常允许在多个读写访问操作时保持为低。但这对fm1808不适用,必须在每次访问时由硬件产生一个正跳变。标准8051核的一个机器周期包括12个时钟周期,ale信号在每个机器周期中两次有效,除了对外部数据存储器访问时仅有效一次。8051对外部存储器的读或写操作需要两个机器周期。快速型8051如ds87c520或w77e58的一个机器周期仅需4 个时钟周期,而在一些新的如philips的8051中一个机器周期为6

  • 铁电存储器原理及应用比较

    摘要:介绍铁电存储器(fram)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将fram与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。最后以fm1808为例说明并行fpga与8051系列单片机的实际接口,着重分析与使用一般sram的不同之处。 关键词:铁电存储器 fram原理 8051 存储技术1 背景铁电存储技术最在1921年提出,直到1993年美国ramtron国际公司成功开发出第一个4kb的铁电存储器fram产品,目前所有的fram产品均由ramtron公司制造或授权。最近几年,fram又有新的发展,采用了0.35μm工艺,推出了3v产品,开发出“单管单容”存储单元的fram,最大密度可在256kb。2 fram原理fram利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此fram保持数据不需要电压,也不

  • 并行接口铁电存储器FM1808及其应用

    摘要:ramtron公司生产的并行接口高性能铁电存储器fm1808是nv-sram的理想替代产品。文中介绍了fm1808的性能特点、引脚功能和工作原理,同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之间的应用差别,给出了fm1808的设计应用要点。 关键词:fram;并行接口;铁电存储器;fm18081 引言目前,数据写入频率要求较高且要求掉电不丢失数据的应用领域,通常采用内部具有锂电池的不挥发nv-sram作为存储器件,但该类器件昂贵的价格又制约了其在价格敏感领域的应用,而如果使用与其兼容的铁电存储器fram,则可很好地解决成本问题,同时又可得到更高的数据存储可靠性。铁电存储器是ramtron公司的专利产品,该产品的核心技术是铁电晶体材料,这一特殊材料使得铁电存储器产品同时拥有随机存储器(ram)和非易失性存储器(rom)产品的特性。 fm1808是基于铁电存储器原理制造的并行接口256kbit铁电存储器,该存储器相比其它类型的存储器有三大特点:●几乎可以像ram那样无限次写入;●可随总线速度写入而无须任何写等待时间;●超低功耗。这种铁电存储器fram克服

  • FM1808

    FM1808引脚图256K位非易失性铁电存储器,结构容量为32768×8位,100亿次读写次数,数据保留45年,写数据无延时,采用先进的高可靠J跬的铁电制造工艺;相对于BBSRAM模块的优势:不涉及电池,单片机可靠性,真正表面贴装解决方案,抗负脉冲能力; 兼容SRAM和EEPROM:符合JEDEC标准32K×8 SRAM,存取时间70ns,周期时间:130ns;低功率操作:工作电流25mA,待机电流20μA;工业标准配置:工业级温度-40~+85℃; 遵从RoHS标准

  • 求助FM1808相关问题

    求助fm1808相关问题请问各位大侠fm1808的片选端如果从51的其中一个脚直接出来而不经过门电路可以吗?

  • 有人在arm中用过铁电吗?急问

    试试看fm1808芯片是不是8位的存储器?如果是8位的存储器,而且你只用了一片的话,fm1808芯片的we脚应该接arm的bls[0]脚,同时对应的bcfg中的rble应该置为0。

  • 求救,把变量移到铁电RAM中时,总执行到“B DataAbort”,啥原因

    铁电急问开发板有例程是往flash里写数据,我是在自己的板子上往铁电里写数据,并且按照铁电网站上推荐的硬件电路设计的(是针对单片机提出的),我修改了一下例程,硬件电路是将读写信号相与然后和片选相或产生fm1808的片选(满足每次读写有一个高电平跳变),这就应该满足铁电读写的要求了吧??而且总线速度也应该没问题,可为什么总是不行呢?不论是单字节还是多字节结果总是对铁电中00 20 40 60。。。。。。。。。等地址一次性读写,难道铁电就不能用在arm中吗??有谁可以给个答复啊????

  • 紧急求助铁电RAM数据丢失

    紧急求助铁电ram数据丢失本人有一个产品,在现场运行1个多月后出现较大批量装置发生铁电fm1808内数据错乱,没有发现任何规律,怀疑是铁电本身问题或是程序访问ram越界改写数据,但一直未能查出原因。请各位高手指点,谢谢。

  • 高手帮下手!

    最近调试电路,我的液晶屏单独测试时显示完全正常,但是一接上74hc373就没有显示了。电路很简单:373作为锁存器来接外部ram fm1808,液晶时128×64,ks0108控制器的,控制线分别是cs1-p2.5,cs2-p2.4,rs-p2.3,wr-p2.2,e-p1.1,rst-p1.0;此时读写外部ram数据也部正常,谁能帮忙分析下原因啊?

fm1808替代型号

FM180 FM1715N FM1715 FM1702SL FM1702NL FM1702N FM1702 FM1608 FM1602 FM1208

FM1808-70-PG FM18L08 FM18L08-70-S FM20 FM2010 FM203 FM2032B FM20L08 FM21L16 FM22L16

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