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铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中应用

合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合，而不会出现数据丢失，其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中，其近乎无限次写入的使用寿命，使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体，用来在于系统之间传输各种数据，供各个子系统频繁读写。从fram问世以来，凭借其各种优点，已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。 在设计的碳控仪系统中，由于对控制碳势适时性的要求较高，而且系统由2个子系统构成，每个子系统都要频繁读写存储器，所以我们把原来的x25045换成fm24c16以满足要求。 2 fm24c16引脚说明及工作过程 fm24c16-p(8脚双列直插)外形图及引脚定义如图1及表1所示。 fm24c16是串行非易失存储器，存储容量为2 048×8b，共分8页，每页256b；工作电压为+5v；接口方式为工业标准的2线接口：sda和scl；功能操作和串行e~prom相似，有读和写两种操作状态，读、写时序和i2c总线类似。 fm24c16的写操作可以分为2种：字节写和页面写。字节写就是每次写入单个字节，页面写可以一次写入整页(256b)的

铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中的应用

铁电存储器fm24c16原理及其在多mcu系统中的应用 卢伟，周永强（武汉大学电气工程学院 湖北武汉 430072） 1 铁电存储器技术原理、特性及应用美国ramtron公司铁电存储器（fram）的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体（ram）和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。 铁电存储器和e2prom比较起来，主要有以下优点：（1）fram可以以总线速度写入数据，而且在写入后不需要任何延时等待，而e2prom在写入后一般要5～10 ms的等待数据写入时间；（2）fram有近乎无限次写入寿命。一般e2prom的寿命在十万到一百万次写入时，而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次

铁电存储器FM24C16原理及在多MCU系统中应用

别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合，而不会出现数据丢失，其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中，其近乎无限次写入的使用寿命，使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体，用来在子系统之间传输各种数据，供各个子系统频繁读写。从fram问世以来，凭借其各种优点，已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。在设计的碳控仪系统中，由于对控制碳势适时性的要求较高，而且系统由2个子系统构成，每个子系统都要频繁读写存储器，所以我们把原来的x25045换成fm24c16以满足要求。如图1及表1所示。 fm24c16是串行非易失存储器，存储容量为2 048×8 b，共分8页，每页256 b；工作电压为＋5 v；接口方式为工业标准的2线接口：sda和scl；功能操作和串行e2prom相似，有读和写两种操作状态，读、写时序和i2c总线类似。fm24c16的写操作可以分为2种：字节写和页面写。字节写就是每次写入单个字节，页面写可以一次写入整页（256 b）的数据。而且，由于没有写延时，数据写入速度很快（一般为μs级），特别是在页面写的时候，不需要

铁电存储器在多CPU自动识别控制系统中的应用

系统具有更高的可靠性以及小型化，我们将采用ramtron的新型多功能芯片： fm3808,一种将掉电非遗失、实时时钟、系统监控于一体的高性能芯片。它具有以下特点： 32k*8 bit 非易失ram 高达100亿次的读写次数 写无延时 数据可保存10年 内置低电压保护 实时时钟 后备电源切换 可编程时钟日历报警 可编程看门狗定时器 电源监测 可编程中断输出 可编程cpu复位或中断 5v工作电压 后备电压可低至5v 动态电流25ma 时钟后备电流1ua 5、选择fm24c16作为多cpu通讯中枢 在确立以多cpu方式作为系统主控方案后，需要解决一个最关键的问题，那就是cpu之间的通讯。让我们先来比较一下几种数据交换的优缺点。 5.1.几种单片机之间的通信方式的可行性分析 采用硬件uart进行异步串行通信。这是一种占用口线少，有效、可靠的通信方式；但在本文提出的4门控制器方式中，一个cpu的uart要完成与上位机的通讯，一个cpu的uart负责与485读卡器或232读卡器之间的通讯，可见硬件资源是不够的。这种方法不适合本例。 采用片内spi接口或2

探讨铁电存贮器FRAM技术原理与应用

大不同便是fram在写入后无须任何等待时间。而eeprom则要等待几毫秒（ms）才能写进下一笔资料。 铁电存贮器（fram）的第二大优点是几乎可以无限次写入。当eeprom只能应付十万（10的5次方）至一百万次写入时，新一代的铁电存贮器（fram）已可达到一亿个亿次（10的16次方）的写人寿命。 铁电存贮器（fram）的第三大优点是超低功耗。eeprom的慢速和高电流写入使得它需要有高出fram存贮器2，500倍的能量去写入每个字节。 表1给出了16kb内存在总线速度为400khz时，fm24c16型铁电存贮器与其它几种存贮器的性能比较。 由于铁电存贮器（fram）包含了ram技术的优点，又同时拥有rom技术的非易失性特点。因此，为业界提供了一个崭新的存贮器产品：一个非易失性的ram。 3 fram铁电存贮器的应用 我们向来用eeprom 来存储设置资料和启动程式，用sram 来暂存系统或运算变数．如果掉电后这些数据仍需保留的话，我们会通过加上后备电池的方法去实现．很久以来我们没有检验这种记忆体架构的合理性．铁电存贮器（fram）的出现为大家提供了一个简洁而高性能的一体化存贮技

铁电存储器FM24C16原理及在多MCU系统中应用

1　铁电存储器技术原理、特性及应用

美国Ramtron公司铁电存储器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体（RAM）和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场...

铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中应用

1、铁电存储器技术原理、特性及应用

美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中...

铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中的应用

急！FM24C16地址在0xFF以后的空间读写不正确

急！fm24c16地址在0xff以后的空间读写不正确同样的程序在0xff以内读写正确，但是超出0xff就不正常了.这是什么原因？我确认我的器件确实是fm24c16.

请教：FM24C04与AT24C04能通用吗？

理论上可以，需实验我们用fm24c04替换at24c02，同样的程序，发现有问题，非容量问题，我们只用了前面一点点空间。后来用fm24c16替换，又能用。不知是何原因。华胄方面也没解释不了。所以建议你试试看。反正申请样品没问题应该。