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历史最低报价：￥3.6000 历史最高报价：￥15.0000 历史平均报价：￥6.3296

型号厂家封装批号数量日期价格
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FQA10N80C TO-3PN 05+(PB-FRE 2008/3/29 0:00:00 3.7000/pcs
FQA10N80C 仙童 T03PL 10年 2368 2011/4/15 20:31:03 3.8000/pcs
FQA10N80C 仙童 TO-3P 2010+ 300 2011/4/15 17:05:26 3.8000/pcs
FQA10N80C FSC TO-3P 10+ 3000 2011/4/15 17:21:11 4.0000/pcs
FQA10N80C TO-3 2010+ 40 2011/4/15 16:57:01 4.0000/pcs
FQA10N80C FAIRCHILD TO-3PN 2008/4/2 0:00:00 4.0000/pcs
FQA10N80C FAIRCHILD TO-3P 08+ 300 2011/4/19 10:59:43 4.2000/pcs
FQA10N80C FORG/A3 TO-3P 2005 8000 2011/4/16 10:05:16 4.3000/pcs
FQA10N80C 仙童 TO 05无铅 2008/3/4 0:00:00 4.5000/pcs

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标准包装:
30
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
QFET™
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
10A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
1.1 欧姆 @ 5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2800pF @ 25V
功率 - 最大:
240W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装:
TO-3PN
包装:
管件

2011年4月18日维库电子市场网IC报价
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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

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功率 - 最大:

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供应商设备封装:

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