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当前位置：维库电子市场网>IC>hip2101ib 更新时间:2024-04-16 20:55:08

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hip2101ib中文资料

  • 标准包装:

    98

  • 类别:

    集成电路 (IC)

  • 家庭:

    PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

  • 系列:

    -

  • 配置:

    半桥

  • 输入类型:

    PWM

  • 延迟时间:

    25ns

  • 电流 - 峰:

    2A

  • 配置数:

    1

  • 输出数:

    2

  • 高端电压 - 最大（自引导启动）:

    100V

  • 电源电压:

    9 V ~ 14 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 供应商设备封装:

    8-SOIC

  • 包装:

    管件

  • 高压、高速MOSFET驱动器

    高压、高速mosfet驱动器max15018/max15019，用于驱动高边和低边n沟道mosfet。器件具有高端(hs)引脚，允许高达125v的输入电压，该指标优于竞争产品的105v电压。max15018/max15019与工业标准的hip2100ib和hip2101ib引脚兼容，理想用于必须承受100v或更高瞬态电压的电信电源产品中，保证足够的安全裕量。 max15018/max15019提供3a源出/吸入峰值电流，传输延迟仅为35ns (典型值)，驱动器之间能够保证2ns (最大值)的传输延迟匹配，可理想用于高频电源。针对ttl或cmos兼容的同相/同相或同相/反相逻辑输入，提供多种版本的器件以供选择。无论v+电源电压为多少，逻辑输入均可承受高达+15v的电压。max15018/max15019提供标准和增散强热的8引脚so封装，工作在-40°c至+125°c汽车级温度范围。芯片起价为$1.62 (1000片起，美国离岸价)。

hip2101ib替代型号

HIP2101 HIP2100IB HIP2100 HIN241ECB HIN240CN HIN240 HIN239 HIN238CB-T HIN238CB HIN238

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