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  • 基于MOSFET在电源转换领域中的设计与应用

    于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率mosfet其工作电压可达1000v;低导通电阻mosfet其阻值仅lomω；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率mosfet（如siliconix最近开发的厚度为1.5mm"little foot系列）。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。 多年来许多制造商持续推出了许多代功率mosfet产品。30年多来，基准基本上每年都会更新。至写这篇文章时，100v基准公认为是英飞凌的ipb025n10n3g所保持。与irf100的4ω–mm2品质因数（fom）相比（1），ipb025n10n3g的fom不到0.1ω–mm2.这个值几乎已经达到硅器件的理论极限（2）。 不过改进仍在持续。例如，coolmos器件和igbt的导通性能已经超过了简单垂直型多数载流子mosfet的理论极限。这些创新在相当长一段时间内可能还会继续，并且会充分利用功率mosfet的低成本结构和训练有素的设计师，而这些设计师经过多年实践后已经学会如何有效发掘电源转换电路和系统的性能。 开启gan新时代 hemt（高电

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