当前位置:维库电子市场网>IC>irf6604 更新时间:2024-04-19 14:58:13

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  • IR推出用于2MHz 降压转换器的MOSFET

    作在1至2mhz的频率范围。 irf6607很好地满足了这样的要求,它的导通电阻仅2.7mω,栅极电荷qgd为16nc,qg为50nc。它采用directfet封装,芯片装在铜壳中,铜壳直接装在印制电路板上。栅极和源极的面积很大,是直接焊到板上,漏极则压焊在铜壳顶部,因此封装本身的电阻很小,电感也很小。directfet的封装电阻只0.1mω(不包括芯片的电阻)、寄生电感为0.6nh。因此,d irctfet可在1mhz至2mhz的频率范围内保持低损耗。2002年早些时侯推出的irf6604是用作控制开关的directfet封装30v mosfet,导通电阻为8mω、qgd仅3.7nc。ir公司电脑产品销售经理carl blake说,在一个2相降压转换器实例中,每相用两只dirctfet (用irf6607作同步开关,用irf6604 作控制开关),气流速度为425lfm,输入为12v,输出为1.7v,开关频率为2mhz,每相输出电流为30a,效率为77%,当每相输出电流为20a时的效率为81%。与使用so-8封装的mosfet相比,由于directfet的寄生电感很小,脉冲波形中

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