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IR推出30V同步降压式转换器芯片组IRF6631/38
ir推出全新30v同步降压式转换器芯片组，其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。该芯片组采用双面冷却的ir基准directfet 封装和最新的hexfet mosfet技术，可以在中电流水平（低于18安培）实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信，以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。全新的directfet芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小，快捷开关，及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率，还比采用3颗so-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。该芯片组的每个器件都是为了使同步dc－dc降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。irf6631 directfet控制mosfet可降低开关损耗，而irf6638 directfet同步mosfet则能减少传导损耗及反向恢复电荷。 irf6631控制fet的栅极电荷为12nc，电阻栅极电荷（99.6 mohmsnc）优值系数比先前的产品减少了16%。irf6638

IR推出用于DC-DC降压式转换器的30V DirectFET MOSFET芯片组
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出全新30v同步降压式转换器芯片组，其中包括irf6631控制mosfet和irf6638同步mosfet。该芯片组采用双面冷却的ir基准directfet 封装和最新的hexfet mosfet技术，可以在中电流水平（低于18安培）实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信，以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。 ir中国销售总监严国富指出：“全新的directfet芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小，快捷开关，及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率，还比采用3颗so-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。” 该芯片组的每个器件都是为了使同步dc－dc降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。irf6631 directfet控制mosfet可降低开关损耗，而irf6638 directfet同步mosfet则能减少传导损耗及反向恢复电荷。

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