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IR推出20V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组
国际整流器公司(international rectifier，简称ir)推出新款20v directfet mosfet同步降转换器芯片组——irf6610和irf6636。ir表示，这款小型罐式directfet mosfet对性能相当于一对so-8 mosfet，但体积却减少了40%，最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(point-of-load，简称pol)设计。 ir台湾分公司总经理朱文义表示：“在12v计算机运算系统中，irf6610和irf6636芯片组最适用于可支持5v至1v以下输出电压的高密度15a pol转换器。以一个500khz pol转换器为例，若采用这款芯片组，便能在1.5v下提供15a输出电流，实现大于88%的效率。” irf6610的闸电荷(gate charge)低至10nc，可将开关损耗减至最低，实现最佳控制场效应管(fet)功能。irf6636则是一款多功能的directfet功率mosfet，其导通电阻为4.5mω，闸电荷低至18nc。它可耦合irf6610，成为专门针对15a应用的同步场效应管；又可配合irf
提升单相同步降压转换器效率的设计技巧
50%。除此之外，设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差，此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃～125℃整个范围的20a系统，电流限值必须设置成平均值38a，这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准，电流限值可能更苛刻，设置点精度优于5%。这样，电流限值将降低到平均22a，可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低，而且能提供更精确的保护功能。在考虑到这些要求后，选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a，rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω)，可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流，并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低，开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合，高压侧mosfet保持导通的时间不长，大部分损耗是开关损耗。输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标，并使输入和输出纹波电流最小。对于高纹波电流，电感值小可能导致非常大的输出
利用数字控制优化单相同步降压转换器的效率
除此之外，设计工程师还需要考虑传感元件的工艺偏差，此偏差可能高达30%(图2)。这意味着对于应用在0℃～125℃整个范围的20a系统，电流限值必须设置成平均值38a，这要求使用额定电流为45a的电感和mosfet。通过采用温度补偿和板上校准，电流限值可能更苛刻，设置点精度优于5%。这样，电流限值将降低到平均22a，可以选择25a电感和mosfet。所选的元件将更小、成本更低，而且能提供更精确的保护功能。在考虑到这些要求后，选择irf6635作为低压侧mosfet。irf6636的额定漏电流在70°c温度下为25a，rdson非常低(在4.5v下为1.8 mω)，可以最大程度地降低传导损耗。将两个mosfet并联可以提高电流，并保持器件的电流额定值(在高压侧也如此)。对高压侧mosfet选择irf6636是因为它的栅极电荷(qg)低，开关损耗最小。对于输入至输出的降压比很高的特定场合，高压侧mosfet保持导通的时间不长，大部分损耗是开关损耗。输入和输出电容的选择要满足总体瞬态目标，并使输入和输出纹波电流最小。对于高纹波电流，电感值小可能导致

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