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irf840中文资料

  • TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用(图)

    摘 要：介绍了功率器件驱动模块tlp250的结构和使用方法，给出了其与功率mosfet和dsp控制器接口的硬件电路图。在阐述irf840功率mosfet的开关特性的基础上，设计了吸收回路。最后结合直流斩波调速技术，设计了基于tms320lf2407 dsp的直流电动机全数字闭环调速系统，并给出了实验结果。关键词：tlp250；irf840 mosfet；吸收回路；直流斩波；dsp 引言---功率集成电路驱动模块是微电子技术和电力电子技术相结合的产物，其基本功能是使动力和信息合一，成为机和电的关键接口。快速电力电子器件mosfet的出现，为斩波频率的提高创造了条件，提高斩波频率可以减少低频谐波分量，降低对滤波元器件的要求，减少了体积和重量。采用自关断器件，省去了换流回路，又可提高斩波器的频率。---直流电动机的励磁回路和电枢回路电流的自动调节常常采用功率mosfet。功率mosfet是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。目前，功率mosfet的指标达到耐压600v、

  • TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用

    摘 要：介绍了功率器件驱动模块tlp250的结构和使用方法，给出了其与功率mosfet和dsp控制器接口的硬件电路图。在阐述irf840功率mosfet的开关特性的基础上，设计了吸收回路。最后结合直流斩波调速技术，设计了基于tms320lf2407 dsp的直流电动机全数字闭环调速系统，并给出了实验结果。关键词：tlp250；irf840 mosfet；吸收回路；直流斩波；dsp 引言---功率集成电路驱动模块是微电子技术和电力电子技术相结合的产物，其基本功能是使动力和信息合一，成为机和电的关键接口。快速电力电子器件mosfet的出现，为斩波频率的提高创造了条件，提高斩波频率可以减少低频谐波分量，降低对滤波元器件的要求，减少了体积和重量。采用自关断器件，省去了换流回路，又可提高斩波器的频率。---直流电动机的励磁回路和电枢回路电流的自动调节常常采用功率mosfet。功率mosfet是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。目前，功率mosfet的指标达到耐压600v、电流70a、工作频率100

  • 基于DSP控制的数字式双向DC/DC变换器的实现

    数字式pi调节采用的是增量式pi控制，其系统框图如图6所示。由于dsp具有强大的计算能力以及ev(eventmanager)模块，则pwm信号可以方便地得到，因此，硬件部分可以大大简化，控制电路部分可以全部省略而由软件来代替，即软件实现pi计算控制以及pwm信号的产生。但是，考虑到dsp的安全性问题，必须有光耦隔离。 3 实验结果 根据上述主电路工作原理分析,为证实数字化控制方法的有效性，制作了一台实验样机，开关频率为50khz。对于图2所示的主电路结构，所选用元器件参数如下：s1～s8选用irf840，vin为蓄电池（12v，4a·h/20h，充电使用）；c1为100μf，c2为100μf；irf840前级用tlp250驱动，控制器用tms320lf2407a，光耦采用6n137；电压采样lem为电流型的lv25p，原边额定电流10ma，副边对应电流25ma，此输入和输出对应精度为±0.9％；电流采样lem为hdc040g系列霍尔电流传感器，其输出电压2.5v±1v，精度为±1％。 图7（a）所示为副边输出10v时的实验波形，当输入电压分别为10v，40v，50v时，s2和s4的驱

  • 输入浪涌电流抑制模块在AC/DC变换器的应用

    何将外接电阻省掉将是电源设计者所希望的。3.2 无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块有人提出一种无限流电阻的上电浪涌电流抑制电路如图7（a）所示，其上电电流波形如图7（b）所示，其思路是将电路设计成线形恒流电路。实际电路会由于两极放大的高增益而出现自激振荡现象，但不影响电路工作。从原理上讲，这种电路是可行的，但在使用时则有如下问题难以解决：如220v输入的400w开关电源的上电电流至少需要达到4a，如上电时刚好是电网电压峰值，则电路将承受4×220×=1248w的功率。不仅远超出irf840的125w额定耗散功率，也远超出irfp450及irfp460的150w额定耗散功率，即使是apt的线性mosfet也只有450w的额定耗散功率。因此，如采用irf840或irfp450的结果是，mosfet仅能承受有限次数的上电过程便可能被热击穿，而且从成本上看，irf840的价格可以接受，而irfp450及irfp460则难以接受，apt的线性mosfet更不可能接受。 欲真正实现无限流电阻的上电浪涌电流抑制模块，需解决功率器件在上电过程的功率损耗问题。作者推出的另一种上电浪涌电流抑制

  • 一种基于单片机的正弦波输出逆变电源的设计

    8n。 升压高频变压器的设计应满足在输入电压最低时，副边电压经整流后不小于逆变部分所需要的最低电压350 v，同时输入电压最高时，副边电压不能过高，以免损坏元器件。同时也必须考虑绕线上的电压降和发热问题。选ee型铁氧体磁芯，原副边绕组为7匝：300匝。关于高频变压器的设计可以参考文献。 变压器副边输出整流桥由4个her307组成．滤波电容选用68μf、450 v电解电容。 根据输出功率的要求，输出电流有效值为0 6～o.7 a，考虑一定的电压和电流余量，逆变桥中的s3～s6选用irf840。逆变部分采用单极性spwm控制方式，开关频率fs=16 khz。 假没滤波器时间常数为开关周期的16倍，即谐振频率取1 khz，则有 滤波电感电容lc≈2．5×10-3，可选取l=5 mh，c=4．7μf。滤波电感l选用内径20 mm，外径40 mm的环形铁粉芯磁芯，绕线采用直径o．4 mm的漆包线2股并绕，匝数180匝。 2 数字化spwm控制方法 该逆变电源的控制电路也分为两部分。前级推挽升压电路由pwm专用芯片sg3525控制，采样变压器绕组电压实现电

  • IRF840

    8.0A/500V

  • 单片机控制的直流PWM调速装置的研究

    采用功率场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,mosfet)作为主开关元件，mosfet是一种多电子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。目前功率场效应管的指标已经达到耐压600v，电流70a，工作频率100khz的水平，在开关电源、办公设备、中小型功率的电机调速中得到广泛的应用。 电路中采用的功率场效应管是ir公司生产的irf840，ir840的耐压达到500v，电流8a，工作频率15.87mhz，图中d10、d11是两个续流二极管，它们为电机电枢的反电动势提供通路。如果该电动势加在mosfet两端，会烧毁mosfet。从驱动芯片输出信号端到mosfet的门极之间分别加了电阻r3、r4，它们的作用是限制电流信号，同时起阻尼作用。由于mosfet的gs电容效应，在电阻两端反向并联快速二极管d6、d7用来放电，提高mosfet的关断速度。 4 结论 本文设计的pwm调速装置具有电路简单，成本低廉，可靠性高、运行稳定的

  • 零电压开关不对称半桥DC/DC变换器

    式中：vo′、io′分别是输出电压、电流折算到原边的值。 由式(1)可见，该变换器的直流增益是谐振电感lr上平均电压降△v(=4lrfsio′)和占空比d的函数。输出特性可由图4表示。 4 实验结果 为了验证以上的分析，制作了一台直流输入300~450v，输出54v／6a的不对称半桥实验样机，它的规格和主要参数为： 输入电压 300~450v； 输出电压 50v； 输出电流 0~6a； 工作频率 100khz； 主开关s1和s2 irf840； 箝位二极管dg1和dg2 mur860； 整流二极管dr1和dr2 30cp0150； 谐振电感lr 40μh； 变压器的参数 n=50：20：20，lm=1.2mh，ls=162μh。 图5(a)是s1正常工作时的vgs1和vds1波形，s2正常工作时的vgs2和vds2波形和图5(a)类似，它们都是在电压为零时开通。图5(b)是s1一个周期内承受的电压和流过的电流的波形图，图5(c)是s2一个周期内承受的电压和流过的电流的波形图。由这两图可见s1和s2所

  • CN5610应用电路图

    二极管，因为d1 的击穿电压即是cn5610 的工作电压，所以击穿电压的选择要确保能够驱动片外场效应晶体管m1。对高压场效应晶体管，击穿电压应该在5.8v 左右。 d2 为整流二极管，采用肖特基二极管可以提高转换效率 q1 和q2 是通用pnp 三极管，其型号可根据集电极-发射极需承受的电压来选择。对于输入电压大于200v 的应用，可以选择a94。 m1 是n 型场效应晶体管，其型号的选择主要根据漏-源承受的最高电压确定的，使导通电阻和开启电压尽量低。对于高于200v 的输入电压，可以选择irf840 等型号。 r2 用来设置q2 的集电极电流，该电流可设置在100 微安左右。 r3 设置三极管q1 的集电极电流，使得该电流等于q2 的集电极电流。 r4 用来调整最小电感电流。 r5 用来调整最大电感电流。 r1,r3, r4 和 r5 共同决定了最大电感电流和最小电感电流，具体公式如下： 最大电感电流imax: imax＝(0.3×r3)／(r1×r5)……………………………(1) 最小电感电流imin: imin＝(1.22×r3)／(r1×(r4＋r5))………………

  • 开关电源式高压恒流源电路图

    相关元件pdf下载：uc3845 lm393 irf840 研制仪器需要一个能在0到3兆欧姆电阻上产生1ma电流的恒流源,用uc3845结合12v蓄电池设计了一个,变压器采用彩色电视机高压包,其中l1用漆包线在原高压包磁心上绕24匝,l3借助原来高压包的一个线圈,l2借助高压包的高压部分.l3和lm393构成限压电路,限制输出电压过高,调节r10可以调节开路输出电压imgload(document.getelementbyid("bodylabel"));

  • 请教：两个IRF840为什么剧发热？

    请教：两个irf840为什么剧发热？想输出+450和-450v直流电压，不知我设计的电路可行否，请各位指教！sg3525的11、14脚输出分别推动两个场效应管irf840组成推挽式升压电路，变压器中心抽头接+150v，变比1：1.5。电路工作时，两个irf840剧发热，不知是什么原因，请各位大虾指教.急用，等待中！ * - 本贴最后修改时间：2005-4-18 14:13:32 修改者：小冷

  • 请大家看这个驱动电路~~~6N137的接法对不对？？？

    请大家看这个驱动电路~~~6n137的接法对不对？？？传感器驱动电路是采用高速，高电压的场效应管irf840作输出驱动，irf840的门极g驱动采用非对称输出的互补电路，要求irf840具有很高的开通和关断速度。问题：（1）6n137的7脚不是要接高电平？6脚要接上拉电阻吗？（2）电路大致是什么原理？电路中三极管的几个限流电阻如何计算呢？请大家帮我指点一下，谢谢~~~

  • 低频（60赫兹）大功率低失真放大电路。

    低频（60赫兹）大功率低失真放大电路。我现在在设计一个fet单端输入双端输出的放大电路，仿真的时候信号非常好，没有失真，用的是irf840，我昨天按照仿真的电路买了几个irf840做实验，但是不行，不知道为什么。很郁闷。我现在的要求是把一个幅度3伏左右、频率50到70赫兹的正弦信号放大到幅度为30伏左右，要求输出电流100毫安左右，不知道怎么设计这个 电路？请问各位大虾应该怎么设计啊？？市场上有现成的这种集成大功率放大电路吗？那个公司的？哪种型号啊？谢谢！！

  • 这个图中的二极管什么作用？

    钳位限流功能irf840为电压驱动，二极管为限流功能，限制840的栅极电流。

  • 超声波发射电路的问题

    在irf840下面加了2欧姆的电阻，是因为840模型里的rds和840说明书上的不同，为了给电感蓄能，所以加了一个2欧姆的电阻，电感是200uh「该帖子被 csvscs 在 2007-5-10 19:11:00 编辑过」

irf840替代型号

IRF84 IRF830PBF IRF830B IRF830 IRF821 IRF820 IRF8113 IRF7855PBF IRF7855 IRF7854PBF

IRF840PBF IRF9024N IRF9220 IRF9350 IRF9513 IRF9520 IRF9530 IRF9530N IRF9540 IRF9540N

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ICM7555CD ISL6265AHRTZ-T ISL9R860PF2 ISP75N IRF7463TRPBF IMP811SEUS-T IRF7805TR INA103KU IRLR3410TRPBF IRFR3303TRPBF

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