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,al2o3——sio2——si。 以上措施,对低压微功耗的微电子的应用,已证明mos与mosic是可靠的。但是对于电力电子应用的场合:高电压,大电流和工作温度范围较宽。特别是,静电放电电压接近栅极击穿电压而又未穿栅极时,例如上文所示接近100v时,仍有隐忧: (1) 较高栅电压下,阈值电压漂移较大,图3示出p沟硅栅mos在高栅电压下的。由图3可见,栅电压vg=40v时,=4v。 (2) pt—igbt在高温栅偏压下阈值电压漂移。图4给出pt—igbt(irg4bc20f)在(1)栅已射极gge=20v,vce=ov(htgb)和(2)vge=0v,vce=0.8v(htrb)在140℃,经过1200小时的应力试验结果。由图4中的htgb曲线可见,栅偏置试验开始后100小时内,时线性增加,随后趋于稳定。 (3) 电可擦只读存贮器(electrically erasable read-only memory,简称eerom)的存贮单元是氮化硅(si3n4)—二氧化硅(sio2)构成的双层绝缘栅的mos管,它利用栅极注入电荷来改变rom存贮单元的状
16.0A/600V