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irgp30b120kd-e
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irgp30b120kd-e替代型号

当前位置：维库电子市场网>IC>irgp30b120kd-e 更新时间:2024-04-20 22:58:50

irgp30b120kd-e供应商优质现货

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供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市郓州科技有限公司
irgp30b120kd-e
BOM配单
上传BOM

深圳市威尔健半导体有限公司
IRGP30B120KD-E
品牌专营
2911
IR
TO247/2023+
代理渠道来货只做原装正品

深圳市芯德盛业科技有限公司
IRGP30B120KD-E
优势
400
InfineonIR
TO247AD/22+
只做全新原装，原厂原包装原标签

深圳市北集芯半导体有限公司
IRGP30B120KD-EP
优势
2475
INFINEON/IR
TO2473 Long Leads (TO247AD)/12+
物美价优，假一罚十

深圳市鼎运世纪科技有限公司
IRGP30B120KD-E
优势
580
IR
TO247/22+
-

深圳市广赢电子有限公司
IRGP30B120KD-E
优势
2001
IR
TO247/00+
只做原装，专为终端工厂服务

深圳市钜麟科技有限公司
IRGP30B120KD-EP
优势
350
INFINEON/IR
TO2473 Long Leads (TO247AD)/24+
-

深圳市壮峰电子科技有限公司
IRGP30B120KD-E
优势
1000
IR
-/10+
原装现货

深圳市念芯电子有限公司展会宣传
IRGP30B120KD-E
1737
IR
TO247/12+
只做原装，也只有原装

深圳市郓州科技有限公司
IRGP30B120KD-E
6500
IR
TO247/23+
只做原装现货

深圳市拓亿芯电子有限公司
IRGP30B120KD-E
15000
IR
TO247/23+
全新原装现货，价格优势

深圳市永贝尔半导体有限公司
IRGP30B120KD-E
9200
IR
TO247AC/23+
只做原装更多数量在途订单

深圳市东城信电子有限公司
IRGP30B120KD-E
47001
IR原装
DIP/SOP/SSOP/QFP/24+
房间现货，诚信经营，提供BOM配单服务

国丰临科技（深圳）有限公司
IRGP30B120KD-E
6500
IR
TO247/23+
只做原装现货

斯耐尔（深圳）科技有限责任公
IRGP30B120KD-E
40000
IR
TO247/0017+
优势库存，特价出售一站式配单服务

上海旋尔电子有限公司
IRGP30B120KD-E
15800
IR原装
DIP/SOP/SSOP/QFP/-
旋尔只做进口原装，假一赔十...

深圳市科鑫美电子有限公司
IRGP30B120KD-E
28683
IR
TO247/21+
原装现货终端免费提供样品

深圳市首质诚科技有限公司
IRGP30B120KD-E
10000
INFINEON/IR
TO247/21+
原装正品

深圳市跃创芯科技有限公司
IRGP30B120KD-E
20000
IR
TO247/2022+
只做原装进口现货.假一罚十

深圳市硅宇电子有限公司
IRGP30B120KD-E
10000
IR
-/-
-

深圳市得捷芯城科技有限公司
IRGP30B120KD-E
6459
IR
NA//23+
优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

irgp30b120kd-ePDF下载地址

序号元器件名功能描述生产厂商资料下载
IRGP30B120KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI... IRF IRGP30B120KD-EPDF下载
IRGP30B120KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI... IRF [International Rectifier] IRGP30B120KD-EPDF下载
IRGP30B120KD-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI... IRF [International Rectifier] IRGP30B120KD-EPPDF下载
IRGP30B120KD-EPBF Insulated Gate Bipolar Transistor, 6... IRF IRGP30B120KD-EPBFPDF下载

irgp30b120kd-e价格行情

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历史最低报价：￥1.4000 历史最高报价：￥92.3000 历史平均报价：￥20.9928

型号厂家封装批号数量日期价格
IRGP30B120KD-E IR TO247 07+ 2008/3/8 0:00:00 1.4000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 04+ 2008/2/29 0:00:00 6.0000/pcs
IRGP30B120KD-E TO-247AC 05+(PB-FRE 2008/7/30 0:00:00 8.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 08+ 2008/7/30 0:00:00 9.2000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247AC 06+07+PB-F 2008/7/30 0:00:00 12.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 04+ 2008/7/30 0:00:00 12.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247 05+/06+ 2008/7/30 0:00:00 15.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO- 05+/06+ 2008/7/30 0:00:00 15.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247AC 2008/3/2 0:00:00 15.0000/pcs
IRGP30B120KD-E IR TO-247AC 05+(PB-FRE 2007/11/13 0:00:00 15.0000/pcs

irgp30b120kd-e中文资料

irgp30b120kd-e中文资料

“单正向”栅驱动IGBT简化驱动电路
而设计的典型igbt电容曲线。cres曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到v接近15v，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau) 特性，c的实际值就可以进一步减小。这种现象是由igbt内部的本征jfet引起的。如果jfet的影响可以最小化，c和c可随着vce的提高而很快下降。这可能减小实际的cres，即减小dv/dt感生开通对igbt的影响。图3 需负偏置关断的典型igbt的寄生电容与v的关系。 irgp30b120kd-e是一个备较小c和经改良jfet的典型igbt。这是一个1200v，30a npt igbt。它是一个co-pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于to-247封装。设计人员可减小多晶体栅极宽度，降低本征jfet的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。对两种1200v npt igbt进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是ir公司的npt单正向栅驱动irgp30b120kd-e。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56Ω下驱动时

irgp30b120kd-e替代型号

IRGP30B120KD IRGBC30U IRGB4062DPBF IRGB15B60KD IRG4PF50WPBF IRG4PF50WDPBF IRG4PF50W IRG4PC50UD IRG4PC40W IRG4PC40UDPBF

IRGP50B60PD IRGP50B60PDPBF IRGPS40B120UDPBF IRIS4007 IRIS4011 IRIS4015 IRL2203S IRL2505 IRL3102 IRL3102S

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IKW40N120T2 IRFR9120NTRPBF IRFML8244TRPBF IRLML6346TRPBF IDT7201LA25J ISO122P IRFR3707ZCTRPBF IMN10T108 IR2117S ICS1893AF

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