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IRLB3034PBF International Rectifier 原装正品 1109+ 30 2012/5/23 16:10:38 16.0000/pcs
IRLB3034PBF International Rectifier TO-220AB 10+ 100 2011/12/16 11:15:22 16.0000/pcs
IRLB3034PBF IR 原装进口！ 10+ 100 2011/12/16 10:48:42 16.5000/pcs
IRLB3034PBF International Rectifier TO-220AB 2011+ 5990 2012/2/8 19:02:35 19.5000/pcs
IRLB3034PBF International Rectifier TO-220AB 11+ 50 2012/2/9 10:01:44 22.5000/pcs
IRLB3034PBF IR 10+ 15,780 2011/12/16 9:08:51 25.0000/pcs
IRLB3034PBF IR NA 2007+ 20 2012/2/9 10:14:33 26.0000/pcs
IRLB3034PBF IR 10+ 15,780 2012/2/9 10:16:59 28.5000/pcs
IRLB3034PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 原装 30 2012/5/23 15:32:07 57.0000/pcs

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特色产品:
HEXFET? Power MOSFETs
标准包装:
50
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
HEXFET®
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
195A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
1.7 毫欧 @ 195A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
162nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
10315pF @ 25V
功率 - 最大:
375W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220AB
包装:
管件

IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道
列已获得工业级和msl1潮湿敏感度认证，更具备所有标准功率封装，包括to-220、d2pak、to-262 以及7引脚d2pak。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (rohs) 。产品的基本规格如下：元件编号封装 bvdss (v) 在4.5vgs下的最大rds(on) (mω) 在25°c 下的id (a) 在4.5vgs下的典型qg (nc) irls3034-7ppbf d2pak-7 40 1.7 *240 108 irlb3034pbf to-220 40 2.0 *195 108 irls3034pbf d2pak 40 2.0 *195 108 irls3036-7ppbf d2pak-7 60 2.2 *240 91 irlb3036pbf to-220 60 2.8 *195 91 irls3036pbf d2pak 60 2.8 *195 91 irls4030-7ppbf d2pak-7 100 4.1 190 87 irlb4030pbf to-220 100 4.5 180

IRLB3036PBF IRLB3813PBF IRLB4030PBF IRLB8721PBF IRLB8743PBF IRLB8748PBF IRLM2502 IRLML2402 IRLML2502 IRLML2803

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开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

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