当前位置:维库电子市场网>IC>ixys 更新时间:2024-04-21 19:52:49

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  • IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进

    摘要:介绍了ixys公司大功率igbt驱动芯片ixdn404的特点及性能,并在此基础上,根据igbt驱动的实际要求,设计出了一种具有过流保护及慢关断功能的简单有效的驱动电路,给出了实际电路图和驱动波形。 关键词:igbt;驱动与保护;ixdn404 引言 绝缘栅晶体管igbt是近年来发展最快而且很有前途的一种复合型器件,并以其综合性能优势在开关电源、ups、逆变器、变频器、交流伺服系统、dc/dc变换、焊接电源、感应加热装置、家用电器等领域得到了广泛应用。然而,在其使用过程中,发现了不少影响其应用的问题,其中之一就是igbt的门极驱动与保护。目前国内使用较多的有富士公司生产的exb系列,三菱公司生产的m579系列,motorola公司生产的mc33153等驱动电路。这些驱动电路各有特点,均可实现igbt的驱动与保护,但也有其应用限制,例如:驱动功率低,延迟时间长,保护电路不完善,应用频率限制等。本文,以ixys公司生产的igbt驱动芯片ixdn404为基础,介绍了其特性和参数,设计了实际驱动与保护电路,经过实验验证,可满足igbt的实际驱动和过流及短路时实施慢关断策

  • 可提高电源效率的同步整流控制芯片

    持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。 鹏源电子是一家专业为新型能源产品配套电子零件的代理商,致力为客户提供一站式的专业化服务。公司拥有一批经验丰富的工程师并与多家研究机构有良好的合作关系,能为客户提供元器件选择、成套方案提供等增值服务,自成立以来,公司的营业额和机构不断增长,已经在香港、深圳、北京、上海分别设立办事处,全面服务国内电力电子企业。 为满足客户高端,高功率密度的要求,鹏源电子致力于提供强有竞争力的同步整流解决方案。采用擎力科技专利技术的同步整流控制芯片,配合ixys的同步整流专用trench mosfet,可以提高电源效率2%~8%。 擎力科技拥有多项同步整流电源管理ic美国专利权,其同步整流技术已领先世界级电源管理设计公司。擎力以ac/dc二次侧的同步整流专利为核心技术,完成高效能电源供应器之理想,将ac/dc的效率达到最大化,其同步整流ic是目前全世界唯一能同时使用ccm及dcm模式的同步整流控制ic。 ixys是纳斯达克上市的美国领先半导体制造商,该公司致力于提高效率、降低能耗的功率半导体产品的研发和生产,其产品以高可靠性和高性能

  • 适用于适配器的反激同步整流控制电路

    受到了限制。因此,为提高效率,目前许多厂家都采用多模式控制方式,即在高压输入的情况下工作qr模式,在低压输入的情况下工作在ccm模式。众所周知,目前所有厂家的同步整流控制器都只能工作在断续或临界模式,而擎力科技所推出的同步整流控制ic采用dv/dt和预侦测专利技术,能完美自由地进行ccm/dcm同步控制,将电源的效率提高到极致。 图3:适配器常用的反激同步整流控制电路。 图3为适配器常用的反激同步整流控制电路,副边采用擎力科技的sp6018/sp6019作为整流控制,结合美国ixys的专用同步trench mosfet作为输出整流mosfet,因为ixys的trench mosfet具有极低的rds(on)和qg,能将导通损耗降到最低,并能提高电源可靠性。 图4:ccm工作波形 图5:qr工作波形 图4、5分别为工作在ccm、dcm下的同步工作波形,其中浅绿色为同步mos的vds波形,紫色为sp6018/sp6019输出波形。因为具有死区编程控制功能,能保证电源安全地工作在ccm模式,这也是业界唯一能出色应对连续模式的同步整流控制ic。

  • 浅谈DSP+μC/OS-Ⅱ的励磁系统的研究

    驱动信号和闭环pid控制,周期中断触发a/d转换。下溢中断服务程序对采样值进行采样,并送到计算任务中进行各种数字滤波及计算。系统退出中断时、内核将重新进行任务调度。中断服务程序的流程图如图6所示。 6 实验结果 完成系统设计后在实验室研制了1台22 kw励磁系统,主开关器件工作在zvzcs条件下,开关频率为20 khz。开关变压器的匝数比n=40:9,lk=13.6μh,ce=2.2/μf;vq1,vq2,vq3,vq4为仙童公司g40n150d,输出整流管和滞后臂串联二极管均选用ixys公司的dsei2x61-12;c1,c2为1.6 kv/2 000 pf无感电容,隔直电容为2 μf极品无感电容,vqc选用ixys公司的mosfet管ixth10n100,以下为主要实测波形图。图7(a)为变压器初级电压波形,图7(b)为变压器的初级电流波形。图8(a)为vq1,vq2的zvs开关波形,图8(b)为vq3,vq4的zcs开关波形。图9(a)启动时电压波形,图9(b)为稳态时电压波形。实验样机在各种负载情况下的效率较高,满载时效率η=93.6%。 7 结 语 实验结果表

  • 电力操作电源主电路参数设计

    而io=10a,最小的输出电容可用下式计算: io:输出电流;△vout:允许的输出电压纹波峰峰值;f:工作频率。这样算出的电容值是最小值,考虑到实际需求,选择560mf/400v的输出滤波电容。主功率器件和输出整流二极管的选择通常,开关管和整流二极管的选取取决于它的电压应力与电流应力。依据输入最高电压时输出最大电流的要求来确定其电压与电流等级,并预留1.5~2倍的电压和2~3倍的电流裕量。由于整流滤波后的直流电压最大值为618v,变压器原边电流最大值为ip=12a/k=12a,所以功率管采用ixys公司生产的ixfx27n80q功率管,额定电压为800v,额定电流为27a。 因为变压器副边采用全桥整流电路,整流管上承受的最大反向电压为vvd=618v,而整流管流过的最大电流为:i0vdmax≥2i0max=24a,所以选取ixys公司生产的dsei30二极管,能承受的最高电流为26a(高于2倍的输出额定电流),最大反向电压1200v。 实验结果及分析为了考察选择的参数是否达到了设计的要求,本文利用tds3012记忆示波器采集了变压器初次级电压/电流波形和次级整流器输出波形进行分析。 图2给

  • 射频MOSFET

    射频mosfet ixys公司的rf mosfet是vhf通讯,fm广播用固态射频电源等应用的理想器件.z-mos mosfet是采用ixys独特的工艺生产的大功率高频高压稳定的高频功率管.该系列产品是为大功率的射频应用线路专门设计的,结合了低离散性,高压(可工作在150v)的mosfet优点使它有无可匹敌的性价比,采用有出色的rf特性和散热特性de系列封装. 另外,ixys还能以de系列封装提供传统的50v的rf mosfet,虽然以tyco等公司的产品封装略有不同,但ixys的de封装能提升器件的rf特性,有更好的热特性,同时在成本方面是采用传统封装的器件就无法竞争的!de封装的特点是插入电感低(1.5nh),偏平封装(高度很低),r(theta)jhs仅0.17c/w!从而使他能工作在更高频率和更高的功率处理能力. ixys的rf mosfet 还适合核磁成像,高压脉冲发生器等高频应用!

  • Mouser进货IXYS全系列功率半导体器件及混合信号IC

    电子分销商mouser electronics日前宣布,已经与ixys公司签署分销协议。后者是功率半导体和混合信号ic领域的厂商。 mouser将进货ixys的全系列功率mosfet、igbt、电源模块、稳压器、栅极驱动器、led驱动器、快速恢复和schottky二极管,以及传感与控制ic。 “ixys一直在积极扩展销售渠道,与理解我们功率半导体业务的专业分销商合作。市场对我们产品的需求很大,尤其是设计师和工程师在努力开始新产品之际。”ixys公司的首席运营官兼首席财务官uzi sasson表示,“mouser作为服务于设计工程界的分销商,他们将帮助我们满足这些客户的需求,同时会把我们的产品带入新的和以前从未涉足的市场。我们期待这种互利关系。”

  • IXYS推出太阳能发电系统的PolarP2 Power MOSFET

    ixys公司近日发布了一种最新系列的polarp2 mosfet。这是ixys快速强大的最新一代polar-series power mosfet,以ixys特有的polarp2技术为平台的500v器件。 这些器件有最优化的导通电阻和门电容,其fom(导通电阻/qg)只有12欧姆/纳库(ω/nc),优异的性能和节能性使开发更高效的电源系统成为可能。这些电源系统包括在能量交换和太阳能发电系统等。这些器件在开关/谐振电源、不间断电源(ups)、基站、服务器、消费类电器等应用同样是理想的。这些器件也非常适合以下应用:功率因数校正电路、电机驱动器、电子镇流器、激光驱动器、直流-直流转换器、自动伺服控制。 这个最新发布的polarp2 mosfet系列包含了两个子类别,提供给最终客户更灵活的系统设计以及给予客户机会去选择最佳性价比的器件。这些子类别包括标准的低损耗版本的polarp2和高性能版本polarp2 hiperfet。 标准的polarp2 mosfet的额定电流有16、24、42和52安培几个规格。标准的polarp2 mosfet专门为设计者提供了高性价比的器件。和原

  • 鹏源电子东莞展示适合电动车应用的超大电流MOSFET

    零件的代理商,公司在成立之初就定位于电力电子行业。专注于为通信电源、 太阳能逆变器, 电力电源、led电源,不间断电源、hid镇流器,变频器...等能源变换产品提供核心的电子零件. 我们致力为你提供一站式的专业化服务。公司拥有一批经验丰富的工程师并与多家研究机构有良好的合作关系,能为客户提供元器件选择、成套方案提供等增值服务,自成立以来,公司的营业额和机构不断增长,且该公司已经在香港、深圳、北京、上海分别设立办事处,全面服务国内电力电子企业。 在本次秋季iic-china上,鹏源电子带来了ixys的一款适合电动车应用的超大电流mosfet产品。该产品是170~300v沟槽栅口工艺的超级mosfet,这些mosfet能处理高达280a的电流,使工程师设计高功率的产品时,无需再使用低电流的mosfet去并联!这样使得驱动电路更简单,使系统使用更少的元件达致高可靠性、简单的极佳效果。 该系列mosfet优化的开关特性,使他们适合于很多高功率的应用。 gigamos系列mosfet使用ixys先进的trench工艺,从而具有极低的rds(on)和门电荷(qg)同时有极佳的开关特性并十

  • 瞄准电动车应用,鹏源电子超大电流MOSFET亮相IIC

    的代理商,公司在成立之初就定位于电力电子行业。专注于为通信电源、 太阳能逆变器, 电力电源、led电源,不间断电源、hid镇流器,变频器...等能源变换产品提供核心的电子零件. 我们致力为你提供一站式的专业化服务。公司拥有一批经验丰富的工程师并与多家研究机构有良好的合作关系,能为客户提供元器件选择、成套方案提供等增值服务,自成立以来,公司的营业额和机构不断增长,且该公司已经在香港、深圳、北京、上海分别设立办事处,全面服务国内电力电子企业。 在本次秋季iic-china上,鹏源电子带来了ixys的一款适合电动车应用的超大电流mosfet产品。该产品是170~300v沟槽栅口工艺的超级mosfet,这些mosfet能处理高达280a的电流,使工程师设计高功率的产品时,无需再使用低电流的mosfet去并联!这样使得驱动电路更简单,使系统使用更少的元件达致高可靠性、简单的极佳效果。 该系列mosfet优化的开关特性,使他们适合于很多高功率的应用。 gigamos系列mosfet使用ixys先进的trench工艺,从而具有极低的rds(on)和门电荷(qg)同时有极佳的开关特性并十

  • 适用于适配器的反激同步整流控制电路图

    受到了限制。因此,为提高效率,目前许多厂家都采用多模式控制方式,即在高压输入的情况下工作qr模式,在低压输入的情况下工作在ccm模式。众所周知,目前所有厂家的同步整流控制器都只能工作在断续或临界模式,而擎力科技所推出的同步整流控制ic采用dv/dt和预侦测专利技术,能完美自由地进行ccm/dcm同步控制,将电源的效率提高到极致。 图1:适配器常用的反激同步整流控制电路。 图1为适配器常用的反激同步整流控制电路,副边采用擎力科技的sp6018/sp6019作为整流控制,结合美国ixys的专用同步trench mosfet作为输出整流mosfet,因为ixys的trench mosfet具有极低的rds(on)和qg,能将导通损耗降到最低,并能提高电源可靠性。 图2:ccm工作波形 图3:qr工作波形 图2、3分别为工作在ccm、dcm下的同步工作波形,其中浅绿色为同步mos的vds波形,紫色为sp6018/sp6019输出波形。因为具有死区编程控制功能,能保证电源安全地工作在ccm模式,这也是业界唯一能出色应对连续模式的同步整流控制ic。

  • 大功率的MOSFET和IGBT驱动芯片:IXYS的IXDN404应用及改进(转贴)

    大功率的mosfet和igbt驱动芯片:ixys的ixdn404应用及改进(转贴)大功率的mosfet和igbt驱动芯片:ixys的ixdn404应用及改进(转贴)来源:电源技术应用 作者:朱选才 周惠升 [字体:大 中 小] (http://www.21ic.com/news/html/67/show10308.htm) 摘要:介绍了ixys公司大功率igbt驱动芯片ixdn404的特点及性能,并在此基础上,根据igbt驱动的实际要求,设计出了一种具有过流保护及慢关断功能的简单有效的驱动电路,给出了实际电路图和驱动波形。 关键词:igbt;驱动与保护;ixdn404引言绝缘栅晶体管igbt是近年来发展最快而且很有前途的一种复合型器件,并以其综合性能优势在开关电源、ups、逆变器、变频器、交流伺服系统、dc/dc变换、焊接电源、感应加热装置、家用电器等领域得到了广泛应用。然而,在其使用过程中,发现了不少影响其应用的问题,其中之一就是igbt的门极驱动与保护。目前国内使用较多的有富士公司生产的exb系列,三菱公司生产的m579系列,motorola公司生产的mc33153等驱动电

  • 请教一个焊机电源及mosfet驱动变压器的问题

    请教一个焊机电源及mosfet驱动变压器的问题本人目前在做高频逆变焊机目前处于实验阶段主电路选择了全桥软开关拓扑结构主开关用的是mosfet(因为设计工作频率300khz)型号是ixys公司的ixfn80n50(80a,500v)驱动选择的是ixys推荐的配套驱动芯片ixdd409现在的问题是:(1)全桥软开关是否适合用来做焊机电源?请有相关设计经验的同仁提出见解(2)在这么高的频率下,专用驱动芯片的“表现”不尽如人意,驱动脉冲的上升下降沿斜率较缓,这将影响到软开关的实现,更危险的在于容易导致桥臂贯穿炸坏主电路。请问换成脉冲变压器驱动是否会有更好的效果?在我的设计要求下,应选择什么型号的磁芯?请这方面的高手不吝赐教。或者能提供一些关于驱动脉冲变压器的设计资料,不胜感激。我绝对不是一个不劳而获的人,但是两天以来一直在网上和图书馆里查找有关驱动脉冲变压器的资料基本没什么收获,相关资料少得可怜。咱们这个坛子里也是很少。但还是希望能够有相关设计经验的高手指点一下。谢谢。同时欢迎交流 leijun1009@163.com

  • 有谁知道NEC的代理

    呵呵我也不喜欢用日本的东西,你牛,你能推荐一块600v pnp对管吗?我已经找过ir、ixys、apt、fairchild、onsemi没有!

  • 求助贴片电源芯片,标识为I01是什么型号的?

    ixys公司的什么芯片??

  • 求助:400V,5A以上的P沟道Mosfet管

    求助:400v,5a以上的p沟道mosfet.html">mosfet管耐高压的n沟道mosfet.html">mosfet很好找,但是200v以上的p沟道mosfet似乎很难选型。找到了ixys公司的几种,但是价钱却都在100以上。请这里搞强电的高手推荐几种400v,5a以上的p沟道mosfet管!

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IXTK180N15 IXTH10N100 IXTA8N50P IXP450 IXP425BD IXP425 IXGH60N60 IXGH30N60C2D1 IXFX27N80Q IXFR180N085

J003 J04V J101 J102 J103 J104 J105 J110RLRAG J112G J115

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IS42S16100C1-7TLI IS61LV12816L-10TL ISL6559CBZ-T ICS9LPRS365BGLFT IRLML2502TRPBF IR3899MTRPBF IRFR9024TRPBF IPD60R1K4C6 ISL6540AIRZ IRFR2405TRPBF

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