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0nm dram，比其它任何供应商的90nm dram都早。三星还将可能是第一家制造80nm dram的厂商，当许多竞争对手还在为90nm工艺技术的量产而努力时，三星的80nm dram可能已经问世。目前已很清楚，与dram相比，nand闪存产品将更多地采用先进的工艺节点制造。在nand市场，三星是第一家采用 70/73nm节点的厂商，现在又是它率先推出65nm节点产品。东芝和hynix等nand对手紧随其后，各自拥有一些技术优势。 创新的工艺技术 三星的65nm 4gb nand闪存(k9f4g08u0a)是一款采用每单元单比特sbc(single-bit-per-cell)技术的单片器件。该器件采用三层金属、双多晶(triple-metal, double-poly)的65nm cmos工艺制造，裸片大小131mm2。其中的单晶体管闪存单元的尺寸约为0.126×0.13μm大小，整个单元面积仅有0.016μm2。总的额定比特效率为31.3mb/mm2。 这款65nm器件的尺寸比先前采用73nm工艺节点制造的器件小15.9%。但65nm器件的裸片效率是54%，比73nm器件低了约6%。效率的
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