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  • 一种简化离线式开关电源的设计

    片和mosfet芯片,而单芯片式仅有一个芯片,一般采用bcdmos工艺制造。采用bcdmos工艺制造高压功率mosfet器件,它的局限性多于采用优化mosfet工艺制造的器件。通常,采用bcdmos工艺制造的芯片的单位面积rds(on)值会高出许多。 然而,单芯片解决方案的成本较低,在低功率应用领域具有优势。因此,一般是为高功率应用选择双芯片方案,而为低功率应用选择单芯片方案,高低功率的分界点在15至20w左右,飞兆半导体有提供两种类型的功率开关。 3 应用实例 图4所示为采用ka5m0365r的通用开关模式电源的电路图,ka5m0365r是双芯片器件。电源的输入电压为85~265vac,开关频率为66khz,输出为3.3v、1.2a,5v、1.5a,9v、0.5a和33v、0.1a。 图4 内部mosfet的额定值为3a和650v,但不是简单的mosfet,而是sensefet,其源极面积约有1%被隔离出来,形成次感应源极。漏极电流的1%来自感应源极,它流经集成电阻器,便于准确地测量电流值,不存在与外部电流采样电阻器相关的损耗。 自线路输入端开始,首先是一个用于抑制

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