KA5M0365RYDTU
10000
TO220F4L/21+
原装现货,一站式采购,请来电垂询
KA5M0365RN
100000
TO220/-
现货库存,如实报货,价格优势,一站式配套服务
KA5M0365R-YDTU
10000
TO220F4L/-
原装,假一罚十
KA5M0365R
4300
TO2204L/20+
原装进口现货,假一罚十
KA5M0365RN
9800
21+/DIP
只做原装假一赔十正规渠道订货
KA5M0365RYDTU
500000
TO220/-
原装进口
KA5M0365RYDTU
1000
TO220F/21+
-
KA5M0365RTU
9574
TO220/21+
原装,BOM一站式服务
KA5M0365R
30000
TO220/2019
原装,市场
KA5M0365RYDTU
6258
TO220F4/22+
只做原装
KA5M0365RYDTU
10000
TO220/10+
原装 现货,先到先得
KA5M0365RTU
3500
TO220/1116+
原装
KA5M0365R
14000
TO2204/2023+
原码翻新测试好
KA5M0365RN
-
SMD/15+
原装现货库存
KA5M0365RYDTU
24000
TO220F4L/21+
现货库存,接受长期排单
KA5M0365R
18565
/21+
亚洲权威代理商,现货供应
KA5M0365R
12000
TO220F/22+
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十
KA5M0365R
6940
TO220/23+
原装现货,诚信经营
片和mosfet芯片,而单芯片式仅有一个芯片,一般采用bcdmos工艺制造。采用bcdmos工艺制造高压功率mosfet器件,它的局限性多于采用优化mosfet工艺制造的器件。通常,采用bcdmos工艺制造的芯片的单位面积rds(on)值会高出许多。 然而,单芯片解决方案的成本较低,在低功率应用领域具有优势。因此,一般是为高功率应用选择双芯片方案,而为低功率应用选择单芯片方案,高低功率的分界点在15至20w左右,飞兆半导体有提供两种类型的功率开关。 3 应用实例 图4所示为采用ka5m0365r的通用开关模式电源的电路图,ka5m0365r是双芯片器件。电源的输入电压为85~265vac,开关频率为66khz,输出为3.3v、1.2a,5v、1.5a,9v、0.5a和33v、0.1a。 图4 内部mosfet的额定值为3a和650v,但不是简单的mosfet,而是sensefet,其源极面积约有1%被隔离出来,形成次感应源极。漏极电流的1%来自感应源极,它流经集成电阻器,便于准确地测量电流值,不存在与外部电流采样电阻器相关的损耗。 自线路输入端开始,首先是一个用于抑制