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  • L6565N构成的碟机开关电源电路原理分析

    xunqi讯奇yf-2668型dvd机电源是以l6565n核心的并联型开关电源。l6565n一片准谐振(mspni)单片开关电源集成电路。除内置启动、振荡、过流、欠压保护等电路外,还通过变压器进行零电流检测,通过线路电压前馈补偿,使变换器功率容量随主线电压变化,在轻载时,l6565自动降低工作频率。 各引脚功能如下:①脚(inv)误差放大器反相输人:②脚(comp)误差放大器输出;③脚(vff)线路电压前馈;④脚(cs)电流感测输人;⑤脚(zcd)变压器退磁零电流检测输入;⑥脚(gnd)地;⑦脚(gd)栅极驱动器输出;⑧脚(vcc)电源电压。 xunqi讯奇yf-2668dvd机电源电路原理图见附图,元件编号均为实物丝网印标注字符。 一、输入与整流电路 220v交流市电经电源开关sw1、保险管bxi,进人由c1、l1、c2组成的低通滤波器交流输人电路,交流输人电路也称抗干扰电路、电源净化电路,在市电电网与开关电源之间形成一道高频杂波隔离屏障。220v交流电压经抗干扰电路滤除高频杂波后,由di-d4桥式整流、c17滤波,在c17两端得到300v的直流电压,作为功率开关管的供

  • ST推出TC03DE220HV ESBT功率开关,具2200V额定击穿电压

    意法半导体(st)宣布推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de

  • ST推出新款2200V ESBT功率开关STC03DE220HV

    意法半导体(st)宣布推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de

  • ST推出STC03DE220HV ESBT功率开关

    意法半导体推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达

  • 开关电源中功率MOSFET的驱动技术荟萃

    业最佳的开关效率,而且无需重新设计电路板。 esbt功率开关降低能耗、尺寸和成本 意法半导体推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec*-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优

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  • ST推出STC03DE220HV ESBT功率开关

    意法半导体推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv

  • ST推出新款2200V ESBT功率开关STC03DE220HV

    意法半导体(st)宣布推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de

  • ST发布STC03DE220HV ESBT功率开关,提高ESBT额定电压

    stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达到了0.33 欧姆的等效导通电阻,同时还实现了150khz的最大开关频率,如此高的工作频率允许设计使用尺寸更小的滤波器。此外,整个裸片尺寸小于同级别电压的高压mosfetx,产品本

  • ST推出2200V ESBT功率开关STC03DE220HV

    st推出stc03de220hv esbt(发射极开关双极晶体管)功率开关,新产品使设计工程师能够提高单相和三相应用辅助开关电源的能效,降低产品的成本、组件数量和尺寸。 stc03de220hv是额定击穿电压2200v的st esbt新系列的首款产品。在电源电压90v ac到690v ac的通用输入转换器中,新产品让设计工程师采用单功率开关的反激式拓扑。使用一个通用的硬件平台,再配合适合的控制器如l6565,st完整的esbt产品让设计工程师能够开发最大功率达到250w的准谐振转换器。 高效开关频率高达150khz,最大额定电流3a,stc03de220hv可用于各种辅助开关电源,包括商用电表、感应电机逆变器、电焊设备和不间断电源(ups)。强化的to247-4l封装是新产品的另一个亮点,8.9mm的爬电距离超出了iec664-1在最大2200v工作电压下的绝缘要求。 集通态损耗低、来自传统mosfet的开关频率高、栅驱动设计简易等三大优点于一身,stc03de220hv利用esbt技术优化了标准双极晶体管和高压mosfet。从集电极到源极,stc03de220hv达

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