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  • 凌力尔特公司推出低噪声、低压 1.1A LDO LT1965

    返电流限制以及热限制。 就需要大的输入至输出压差的应用而言,lt1965 可组成非常紧凑和耐热有效的解决方案。该集成电路有多种封装选择,从现代高功率密度、小占板面积和高热效率的 dfn 和 msope 封装到较传统的 dd-pak 和 to-220 电源封装都有。 lt1965edd 采用扁平(0.75mm)8 引线 dfn(3mm x 3mm)封装,lt1965ems8e 采用 8 引线 msop 封装,lt1965eq 采用表面贴装 dd-pak 电源封装,lt1965et 采用 to-220 电源封装。所有器件都有现货供应,以 1,000 片为单位批量购买,每篇起价分别为 1.88 美元、1.94 美元、2.20 美元和 2.20 美元。i 级版本器件的价格分别为 2.16 美元、2.23 美元、2.53 美元和 2.53 美元。 照片说明:低噪声 1.1a ldo 性能概要:lt1965 · 输出电流:1.1a · 低压差:在 1.1a 负载时典型值为 300mv · 超低输出噪声

  • 凌力尔特1.1A低噪声LDO输出噪声仅为40uVRMS

    制以及热限制。 500){this.width=500}" border=0> 就需要大的输入至输出压差的应用而言,lt1965可组成非常紧凑和耐热有效的解决方案。该集成电路有多种封装选择,从现代高功率密度、小占板面积和高热效率的dfn和msope封装到较传统的dd-pak和to-220电源封装都有。 lt1965edd采用扁平(0.75mm)8引线dfn(3mm×3mm)封装,lt1965ems8e采用8引线msop封装,lt1965eq采用表面贴装dd-pak电源封装,lt1965et采用to-220电源封装。所有器件都有现货供应,以1,000片为单位批量购买,每篇起价分别为1.88美元、1.94美元、2.20美元和2.20美元。i级版本器件的价格分别为2.16美元、2.23美元、2.53美元和2.53美元。 性能概要:lt1965 输出电流:1.1a 低压差:在1.1a负载时典型值为300mv 超低输出噪声:40uvrms vin 范围:1.8v至20v 可调vout:1.2v至19.5v 输出容限:在整

  • 凌力尔特推出低噪声、低压 1.1A稳压器LT1965

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  • 凌力尔特发布新款低噪声LDO LT1965

    它稳压器中是常见的。内部保护电路包括电池反向保护、无反向电流、折返电流限制以及热限制。 就需要大的输入至输出压差的应用而言,lt1965可组成非常紧凑和耐热有效的解决方案。该集成电路有多种封装选择,从现代高功率密度、小占板面积和高热效率的dfn和msope封装到较传统的dd-pak和to-220电源封装都有。 lt1965edd采用扁平(0.75mm)8引线dfn(3mm×3mm)封装,lt1965ems8e采用8引线msop封装,lt1965eq采用表面贴装dd-pak电源封装,lt1965et采用to-220电源封装。所有器件都有现货供应,以1,000片为单位批量购买,每篇起价分别为1.88美元、1.94美元、2.20美元和2.20美元。i级版本器件的价格分别为2.16美元、2.23美元、2.53美元和2.53美元。 性能概要:lt1965 ·输出电流:1.1a ·低压差:在1.1a负载时典型值为300mv ·超低输出噪声:40uvrms ·vin范围:1.8v至20v ·可调vout:1.2v至19.5v ·输出容限:在整个电压

  • 凌力尔特发布新款低噪声LDO LT1965

    阻在很多其它稳压器中是常见的。内部保护电路包括电池反向保护、无反向电流、折返电流限制以及热限制。 就需要大的输入至输出压差的应用而言,lt1965可组成非常紧凑和耐热有效的解决方案。该集成电路有多种封装选择,从现代高功率密度、小占板面积和高热效率的dfn和msope封装到较传统的dd-pak和to-220电源封装都有。 lt1965edd采用扁平(0.75mm)8引线dfn(3mm×3mm)封装,lt1965ems8e采用8引线msop封装,lt1965eq采用表面贴装dd-pak电源封装,lt1965et采用to-220电源封装。所有器件都有现货供应,以1,000片为单位批量购买,每篇起价分别为1.88美元、1.94美元、2.20美元和2.20美元。i级版本器件的价格分别为2.16美元、2.23美元、2.53美元和2.53美元。 性能概要:lt1965 ·输出电流:1.1a ·低压差:在1.1a负载时典型值为300mv ·超低输出噪声:40uvrms ·vin 范围:1.8v至20v ·可调vout:1.2v至19.5v ·输出容限:在整个电压、负载和温度变化范围内为±3% ·

  • 凌力尔特1.1A低噪声LDO输出噪声仅为40uVRMS

    括电池反向保护、无反向电流、折返电流限制以及热限制。 就需要大的输入至输出压差的应用而言,lt1965可组成非常紧凑和耐热有效的解决方案。该集成电路有多种封装选择,从现代高功率密度、小占板面积和高热效率的dfn和msope封装到较传统的dd-pak和to-220电源封装都有。 lt1965edd采用扁平(0.75mm)8引线dfn(3mm×3mm)封装,lt1965ems8e采用8引线msop封装,lt1965eq采用表面贴装dd-pak电源封装,lt1965et采用to-220电源封装。所有器件都有现货供应,以1,000片为单位批量购买,每篇起价分别为1.88美元、1.94美元、2.20美元和2.20美元。i级版本器件的价格分别为2.16美元、2.23美元、2.53美元和2.53美元。 性能概要:lt1965 输出电流:1.1a 低压差:在1.1a负载时典型值为300mv 超低输出噪声:40uvrms vin 范围:1.8v至20v 可调vout:1.2v至19.5v 输出容限:在整

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LT1965EQ LT1965EMS8E LT1965EDD LT1964ES5-BYP LT1963AEST-3.3 LT1963-3.3 LT1963 LT1962 LT1961EMS8E LT1946

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