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  • 飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET

    操作电压是26至32伏,具有集成的静态电流温度补偿功能,采用to-272超模压的、经济高效的塑料封装。 通过在一个rfic封装内结合多个增益级, mw6ic2240nb可以极大地降低oem的设计复杂性、部件数量、系统尺寸和物料单。 更多多载波应用的功率放大器 除mw6ic2240nb外,飞思卡尔还推出了另外6款非常适合于多载波应用(如cdma、w-cdma和 td-scdma)的ldmos 和 mosfet功率放大器。他们运行在2010至2170mhz的频率范围内,这些设备是: mhv5ic2215n: 双级ldmos驱动放大器,具有23 dbm的输出功率、 27.5 db的增益、49 dbc的alt1和-50 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。. mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率 mosfet,具有35 dbm的输出功率、15.5 db的增益、-48 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet,具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增

  • 飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET

    0nb的操作电压是26至32伏,具有集成的静态电流温度补偿功能,采用to-272超模压的、经济高效的塑料封装。 通过在一个rfic封装内结合多个增益级, mw6ic2240nb可以极大地降低oem的设计复杂性、部件数量、系统尺寸和物料单。 更多多载波应用的功率放大器 除mw6ic2240nb外,飞思卡尔还推出了另外6款非常适合于多载波应用(如cdma、w-cdma和 td-scdma)的ldmos 和 mosfet功率放大器。他们运行在2010至2170mhz的频率范围内,这些设备是: mhv5ic2215n: 双级ldmos驱动放大器,具有23 dbm的输出功率、 27.5 db的增益、49 dbc的alt1和-50 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。. mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率 mosfet,具有35 dbm的输出功率、15.5 db的增益、-48 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet,具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-4

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