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mmbf2202pt1g中文资料

  • MMBF2202PT1G的技术参数

    产品型号:mmbf2202pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):3.500最大漏极电流id(on)(a):0.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-223/-55~150描述:0.3a,20v,sot223,p沟道功率mosfet价格/1片(套):¥1.10 来源:xiangxueqin

  • MMBF2202PT1G的技术参数

    产品型号:MMBF2202PT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.500
    最大漏极电流Id(on)(A):0.300
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55~150
    描述:0.3A,20V,SOT223,P沟道功率MOSFET
    价格/1片(套)...

mmbf2202pt1g替代型号

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