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Freescale Semiconductor
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飞思卡尔半导体日前凭借第七代高压(hv7)射频ldmos技术，成功地取得了在3.5ghz频段运行的符合wimax基站所需的射频功率放大器性能。通过提供采用射频ldmos和gaas phemt技术的功率晶体管，飞思卡尔的射频解决方案能够支持高功率无线基础设施应用，其中ldmos的性能高达3.8ghz，而gaas phemt的性能则高达6ghz。 首批3.5ghz ldmos设备的样品mrf7s38075h现已问世。它是一个75瓦特的p1db射频晶体管，平均功率为42dbm(16w)，满足在3.5ghz频段运行的wimax设备的性能要求。此外，40w和10w的p1db 3.5ghz设备也将于近期面市。 这三款射频ldmos设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容。同时，hv7 ldmos设备完善了12v gaas phemt设备的功能，使其能够适应3.5ghz的wimax应用。而目前正在开发的新型高压gaas设备将在达6ghz的频段运行，当运行电压达到20v以上，gaas设备能够达到达100w的输出功率，同时还能满足数字调制系统的严格要求。 据市场研究机构isuppli公司估计，2
至关重要的，不仅体现在具有屏蔽要求的频谱形式中，也体现在具有evm （误差向量幅度）要求的积分形式中。在本消息发布之前，硅ldmos 技术在3.5 ghz频段上不能提供令人满意的射频功率性能表现。这就意味着合成半导体设备（如gaas phemt）是设计者的唯一选择。现在，飞思卡尔的高级3.5 ghz hv7 ldmos设备提供了wimax系统所需的高效、线性和evm性能，为设计者提供了在合成半导体和硅ldmos之间进行选择的机会。 首批3.5 ghz ldmos设备的样品现已问世。mrf7s38075h是一个75瓦特的p1db 射频晶体管，平均功率为42dbm （16w），满足在3.5 ghz频段运行的wimax设备的性能要求。此外，40w和10w的 p1db 3.5 ghz设备也有望于2006年2月面市。这三款先进的ldmos设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容，面向在2.3、2.5和3.5 ghz频段运行的新兴wimax/wibro设备。 高级hv7 ldmos设备完善了12v gaas phemt设备的功能，使其能够适应3.5 ghz的 wimax应用，目前
，而且在于正交构成了evm（误差向量大小）要求。在这项声明发布之前，硅ldmos技术在3.5 ghz频带下无法提供可接受的射频功率性能水平。这意味着像是砷化镓phemt这样的化合物半导体设备是设计师们的唯一选择。飞思卡尔公司先进的3.5 ghz hv7 ldmos设备现在能够提供wimax系统所需的效率、线性与evm性能，设计师从此能够在化合物半导体与硅ldmos之间进行选择。 hv7 rf ldmos供应情况 首批3.5 ghz ldmos设备样品目前已经供应市场。mrf7s38075h是一款75瓦p1db射频晶体管，平均功率为42dbm (16w)，能够满足3.5 ghz基带上的wimax性能要求。除此之外，40瓦和10瓦p1db 3.5 ghz设备也预计将于2006年2月供应市场。这三款先进的ldmos设备使得飞思卡尔公司现有的射频功率晶体管的产品组合趋于完美，而且均以新出现的2.3、2.5和3.5 ghz基带的wimax/wibro为市场目标。 高压砷化镓供应情况 先进的hv7 ldmos设备是用于3.5 ghz wimax应用的12v砷化镓phe
大器设计者带来一些独特的挑战.在功率回退的rf功率晶体管线性是至关重要的,不仅在有掩模要害的广谱形式,而且在误差向量幅度(evm)要求.在此之前,硅ldmos技术在3.5ghz并不提供可接收的rf功率性能.这就意味着化合物半导体器件如gaas phemt是唯一可用的设计器件.freescale先进的3.5ghz hv7 ldmos器件提供wimax系统所需的效率,线性度和evm性能,为设计者在化合物半导体和硅ldmos器件间提供了选择. 现在可提供3.5ghz ldmos的最初器件样品. mrf7s38075h是具有75w p1db的rf晶体管,平均功率42dbm(16w),满足3.5ghz波段wimax性能要求.此外,40w和10w p1db 3.5ghz器件将在2006年第二季度推出.这三种ldmos器件目标用在2.3ghz,2.5ghz 和3.5ghz 新兴wimax/wibro波段. 先进的hv7 ldmos器件补充了用在3.5ghz wimax的12v gaas phemt器件,正在开发的新型高压gaas器件将工作在6ghz.这使它们非常适合用在这个频率范围的wimax和其它无线应用.工作
仅体现在具有屏蔽要求的频谱形式中，也体现在具有evm（误差向量幅度）要求的积分形式中。在本消息发布之前，硅ldmos技术在3.5ghz频段上不能提供令人满意的射频功率性能表现。这就意味着合成半导体设备（如gaas phemt）是设计者的唯一选择。现在，飞思卡尔的高级3.5ghz hv7 ldmos设备提供了wimax系统所需的高效、线性和evm性能，为设计者提供了在合成半导体和硅ldmos之间进行选择的机会。 hv7射频ldmos的供货信息 首批3.5 ghz ldmos设备的样品现已问世。mrf7s38075h是一个75瓦特的p1db 射频晶体管，平均功率为42dbm （16w），满足在3.5ghz频段运行的wimax设备的性能要求。此外，40w和10w的p1db 3.5ghz设备也有望于2006年2月面市。这三款先进的ldmos设备扩大了飞思卡尔现有的射频功率晶体管系列的产品阵容，面向在2.3、2.5和3.5 ghz频段运行的新兴wimax/wibro设备。 高压gaas的供货信息 高级hv7 ldmos设备完善了12v gaas phemt设备的功能，使其能够适应3.5 ghz的wimax应用
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