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飞思卡尔推出高功率多级射频功率LDMOS FET
alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25 dbm的输出功率，27 db的增益、-50 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、18 db的增益, -51 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。所有设备都符合rohs标准，具有内部匹配的输入和输出，可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了mrf6

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8 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号). mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25 dbm的输出功率，27 db的增益、-50 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。 mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、18 db的增益, -51 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。所有设备都符合rohs标准，具有内部匹配的输入和输出，可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了mrf6s211

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