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  • NTB23N03R的技术参数

    产品型号:ntb23n03r源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):50.300最大漏极电流id(on)(a):23通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~175描述:23a,25v功率mosfet价格/1片(套):¥4.50 来源:xiangxueqin

  • NTB23N03R的技术参数

    产品型号:NTB23N03R
    源漏极间雪崩电压VBR(V):25
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50.300
    最大漏极电流Id(on)(A):23
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):D2PAK/-55~175
    描述:23A,25V功率MOSFET
    价格/1片(套):¥4.50


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