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  • NTD30N02的技术参数

    产品型号:ntd30n02源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):11.200最大漏极电流id(on)(a):30通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak/-55~150描述:30a,24v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):￥4.30 来源:xiangxueqin

  • NTD30N02的技术参数

    产品型号:NTD30N02
    源漏极间雪崩电压VBR(V):24
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.200
    最大漏极电流Id(on)(A):30
    通道极性:N沟道
    封装/温度(℃):DPAK/-55~150
    描述:30A,24V逻辑电平的功率MOSFET
    价格/1片(套):￥4.30

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